2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КД413Б

Диоды кремниевые эпитаксиальные со структурой типа p-i-n. Предназначены для применения в качестве управляемых высокочастотных резистивных элементов.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д413А — зеленой. 2Д41ЗБ — зеленой и красной. КД41ЗА — белой, КД413Б — белой н красной.

Масса диода не более 0,035 г.

0

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при Iпр=20 мА, не более:  
2Д413А, 2Д413Б при 298 и 398 К и КД413А, КД413Б при 298 К 1,0 В
2Д413А, 2Д413Б при 213 К 1,2 В
Дифференциальное сопротивление при Iпр=2 мА на частоте 50 МГц:  
2Д413А, КД413А 30-48*-60 Ом
2Д413Б, КД413Б 40-62*-80 Ом
Заряд переключения при Iпр=2 мА, Uобр=10 В 2-2,5*-3,8* нКл
Общая емкость диода при Uобр=0, не более 0,7 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное импульсное обратное напряжение для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б — от 213 до 353 К 24 В
Постоянный или средний прямой ток для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД41ЗБ — от 213 до 353 К 20 мА
Рассеиваемая мощность для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б - от 213 до 353 К 20 мВт
Температура окружающей среды:  
2Д413А, 2Д413Б От 213 до 398 К
КД413А, КД413Б От 213 до 353 К
Температура перехода для 2Д413А, 2Д413Б 403 К

1

Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока для образцов диодов с rл = 30 Ом (1), 40 Ом (2), 60 Ом (3), 80 Ом (4) при Iпр=2 мА.

2

Зависимость заряда переключения от прямого тока.

3

Зависимость общей емкости от напряжений.

4

Зависимость выпрямленного тока от частоты.