2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КД413Б
Диоды кремниевые эпитаксиальные со структурой типа p-i-n. Предназначены для применения в качестве управляемых высокочастотных резистивных элементов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветными точками у положительного вывода: 2Д413А — зеленой. 2Д41ЗБ — зеленой и красной. КД41ЗА — белой, КД413Б — белой н красной.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=20 мА, не более: | |
| 2Д413А, 2Д413Б при 298 и 398 К и КД413А, КД413Б при 298 К | 1,0 В |
| 2Д413А, 2Д413Б при 213 К | 1,2 В |
| Дифференциальное сопротивление при Iпр=2 мА на частоте 50 МГц: | |
| 2Д413А, КД413А | 30-48*-60 Ом |
| 2Д413Б, КД413Б | 40-62*-80 Ом |
| Заряд переключения при Iпр=2 мА, Uобр=10 В | 2-2,5*-3,8* нКл |
| Общая емкость диода при Uобр=0, не более | 0,7 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное импульсное обратное напряжение для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б — от 213 до 353 К | 24 В |
| Постоянный или средний прямой ток для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД41ЗБ — от 213 до 353 К | 20 мА |
| Рассеиваемая мощность для 2Д413А, 2Д413Б при температуре от 213 до 398 К и для КД413А, КД413Б - от 213 до 353 К | 20 мВт |
| Температура окружающей среды: | |
| 2Д413А, 2Д413Б | От 213 до 398 К |
| КД413А, КД413Б | От 213 до 353 К |
| Температура перехода для 2Д413А, 2Д413Б | 403 К |
Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока для образцов диодов с rл = 30 Ом (1), 40 Ом (2), 60 Ом (3), 80 Ом (4) при Iпр=2 мА.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.
Зависимость общей емкости от напряжений.
Зависимость выпрямленного тока от частоты.