2С401А, 2С401БС, 2С501А, 2С501Б, 2С501АС, 2С501БС

2С401А, 2С401БС, 2С501А, 2С501Б, 2С501АС, 2С501БС

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, ограничительные, несимметричные (2С401А, 2С501А, 2С501Б) и симметричные (2С401БС, 2С501АС, 2С501БС), средней мощности. Предназначены для одностороннего или двустороннего ограничения импульсов напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Для диодов 2С401А, 2С501А, 2С501Б корпус в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). Для диодов 2С401БС, 2С501АС, 2С501БС полярность включения значения не имеет.

Масса диода не более 2,3 г.

0

Электрические параметры

Напряжение пробоя при Iобр.ном=10 мА:  
при Т=+25°С:  
2С401А 6,1...6,8*...7,5 В
2С401БС 6,8...7,5*...8,2 В
при Т=—60°С:  
2С401А 5,8...7,5 В
2С401БС 6,4...8,2 В
при Т=+125°С:  
2С401А 6,1...8 В
2С401БС 6,8...8,7 В
Напряжение пробоя при Iобр.ном=1 мА:  
при Т=+25°С:  
2С501А, 2С501АС 13,5...15*...16,5 В
2С501Б, 2С501БС 27...30*...33 В
при Т=—60°С:  
2С501А, 2С501АС 12,5...16,5 В
2С501Б, 2С501БС 24,5...33 В
при Т=+125°С:  
2С501А, 2С501АС 13,5...18,1 В
2С501Б, 2С501БС 27...36,6 В
Импульсное напряжение ограничения при Iобр.и.макс и Т=—60...+125°С, не более:  
2С401А 10,8 В
2С501А, 2С501АС 22 В
2С501Б, 2С501БС 43,5 В
2С401БС 11,7 В
Температурный коэффициент напряжения пробоя при Iобр.ном и Т=-60...+125°С, не более:  
2С401А 0,057%/°С
2С501А, 2С501АС 0,084%/°С
2С501Б, 2С501БС 0,097%/°С
2С401БС 0,061%/°С
Постоянное прямое напряжение при Iпр=50 мА, не более 1*В
Постоянный обратный ток, не более:  
при Т=—60...+25°С:  
2С401А, 2С401БС при Uобр=5,5 В 1 мА
2С501А при Uобр=12,1 В 5 мкА
2С501Б при Uобр=24,3 В 5 мкА
2С501АС при Uобр=11,0 В 5 мкА
2С501БС при Uобр=24,0 В 5 мкА
при Т=+125°С:  
2С401А, 2С401БС при Uобр=5,5 В 10 мА
2С501А при Uобр=12,l В 0,5 мА
2С501Б при Uобр=24,3 В 0,5 мА
2С501АС при Uобр=11,0 В 0,5 мА
2С501БС при Uобр=24,0 В 0,5 мА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный обратный ток1:  
при Т=—60...+35°С:  
2С401А 109 мА
2С501А, 2С501АС 53 мА
2С501Б, 2С501БС 27 мА
2С401БС 100 мА
при Т=+125°С:  
2С401А 25 мА
2С501А, 2С501АС 11 мА
2С501Б, 2С501БС 6 мА
2С401БС 22 мА
при Т=—60...+35°С и Р=665 Па:  
2С401А 54 мА
2С501А, 2С501АС 27 мА
2С501Б, 2С501БС 13 мА
2С401БС 50 мА
при Т=+125°С и Р=665 Па:  
2С401А 12,5 мА
2С501А, 2С501АС 5,5 мА
2С501Б, 2С501БС 3 мА
2С401БС 44 мА
Импульсный обратный ток при форме импульса в виде убывающей экспоненты с параметрами tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104:  
при Т=—60...+35°С:  
2С401А 139 А
2С501А, 2С501АС 68 А
2С501Б, 2С501БС 34,5 А
2С401БС 128 А
при Т=+125°С:  
2С401А 28 А
2С501А, 2С501АС 14 А
2С501Б, 2С501БС 7 А
2С401БС 26 А
Постоянная рассеиваемая мощность1:  
при Т=—60...+35°С 1 Вт
при Т=+125°С 0,2 Вт
при Т=—60...+35°С и Р=665 Па 0,5 Вт
при Т=+125°С и Р=665 Па 0,1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при форме импульса в виде убывающей экспоненты с параметрами tи(0,5) =1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104:  
при Т=—60...+35°С 1,5 кВт
при Т=+125°С 0,3 кВт
Число импульсов перегрузки при Ри.макс 100
Температура окружающей среды —60...125°С
1 В интервале температур окружающей среды +3...+125°С допустимые знамени я, импульсного обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки с радиусом закругления не менее 2 мм. Растягивающая выводы сила не должна превышать 19,6 Н.

Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125°С.

Допускается последовательное или параллельное соединение любого числа диодов.