1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г, 1И104Д, 1И104Е

Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях в диапазоне длин волн от 2 до 10 см.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на вкладыше. Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр.

Масса диода не более 0,025 г.

Пиковый ток	От 1,3 до 1,7 мА
Отношение пикового тока к току впадины при температуре от 213 до 348 К, не менее	4
Общая емкость диода при нулевом смещении и f=1...10 МГц
1И104А	От 0,8 до 1,9 пФ
1И104Б	От 0,6 до 1,4 пФ
1И104В	От 0,5 до 1,1 пФ
1И104Г	От 0,45 до 1 пФ
1И104Д	От 0,4 до 0,9 пФ
1И104Е	От 0,4 до 0,8 пФ
Сопротивление потерь, не более:
1И104А, 1И104Б	6 Ом
1И104В, 1И104Г, 1И104Д	7 Ом
1И104Е	8 Ом
Напряжение пика	60-80*-100 мВ
Напряжение впадины	350-400*-450 мВ
Индуктивность диода	0,1-0,11*-0,13 нГн
Емкость корпуса	0,25-0,3*-0,35 пФ
Резонансная частота*:
1И104А	От 11 до 25 ГГц
1И104Б	От 15 до 27 ГГц
1И104В	От 17 до 31 ГГц
1И104Г	От 19 до 37 ГГц
1И104Д	От 21 до 45 ГГц
1И104Е	От 25 до 60 ГГц
Температурный коэффициент проводимости при температуре:
от 213 до 298 К	От 0 до -0,25 %/К
от 213 до 343 К	±0,14 %/К

Импульсная рассеиваемая мощность. мВт, на частоте f=1 кГц
при 343 К
	τи=0,1 мкс	τи=1 мкс	τи=4 мкс
1И104А	100	25	10
1И104Б	75	20	7,5
1И104В	50	15	5,0
1И104Г	25	10	4,0
1И104Д	20	6	3,5
1И104Е	15	4	3,0
от 213 до 308 К
1И104А	200	50	20
1И104Б	150	40	15
1И104В	100	30	10
1И104Г	50	20	8
1И104Д	40	12	7
1И104Е	30	8	6
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:
при 343 К
1И104А			2,5 мВт
1И104Б			2,0 мВт
1И104В			1,5 мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е			1,0 мВт
от 213 до 308 К
1И104А			5 мВт
1И104Б			4 мВт
1И104В			3 мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е			2 мВт
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213 до 343 К			400 мВ
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К			20 мВ
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К:
1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г			1 мА
1И104Д, 1И104Е			0,51 мА
Постоянный обратный ток при температуре от 213 до 343 К			1,5 мА
Температура окружающей среды			От 213 до 343 К

Примечания:

Не допускается проверка диодов тестером.
Прижимное усилие на диод при креплении должно быть не более 15 Н.
Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к корпусу диода, при этом нагрев диода не должен превышать 343 К.
При измерениях и работе с диодом необходимо брать его заземленным пинцетом или применять браслет для снятия статистического заряда.