1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г, 1И104Д, 1И104Е

Диоды германиевые туннельные мезасплавные. Предназначены для работы в усилителях в диапазоне длин волн от 2 до 10 см.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на вкладыше. Отрицательный вывод диода имеет больший диаметр.

Масса диода не более 0,025 г.

0

Электрические параметры

Пиковый ток От 1,3 до 1,7 мА
Отношение пикового тока к току впадины при температуре от 213 до 348 К, не менее 4
Общая емкость диода при нулевом смещении и f=1...10 МГц  
1И104А От 0,8 до 1,9 пФ
1И104Б От 0,6 до 1,4 пФ
1И104В От 0,5 до 1,1 пФ
1И104Г От 0,45 до 1 пФ
1И104Д От 0,4 до 0,9 пФ
1И104Е От 0,4 до 0,8 пФ
Сопротивление потерь, не более:  
1И104А, 1И104Б 6 Ом
1И104В, 1И104Г, 1И104Д 7 Ом
1И104Е 8 Ом
Напряжение пика 60-80*-100 мВ
Напряжение впадины 350-400*-450 мВ
Индуктивность диода 0,1-0,11*-0,13 нГн
Емкость корпуса 0,25-0,3*-0,35 пФ
Резонансная частота*:  
1И104А От 11 до 25 ГГц
1И104Б От 15 до 27 ГГц
1И104В От 17 до 31 ГГц
1И104Г От 19 до 37 ГГц
1И104Д От 21 до 45 ГГц
1И104Е От 25 до 60 ГГц
Температурный коэффициент проводимости при температуре:  
от 213 до 298 К От 0 до -0,25 %/К
от 213 до 343 К ±0,14 %/К

Предельные эксплуатационные данные

Импульсная рассеиваемая мощность. мВт, на частоте f=1 кГц
при 343 К
  τи=0,1 мкс τи=1 мкс τи=4 мкс
1И104А 100 25 10
1И104Б 75 20 7,5
1И104В 50 15 5,0
1И104Г 25 10 4,0
1И104Д 20 6 3,5
1И104Е 15 4 3,0
от 213 до 308 К
1И104А 200 50 20
1И104Б 150 40 15
1И104В 100 30 10
1И104Г 50 20 8
1И104Д 40 12 7
1И104Е 30 8 6
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность:  
при 343 К  
1И104А 2,5 мВт
1И104Б 2,0 мВт
1И104В 1,5 мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е 1,0 мВт
от 213 до 308 К  
1И104А 5 мВт
1И104Б 4 мВт
1И104В 3 мВт
1И104Г, 1И104Д, 1И104Е 2 мВт
Постоянное прямое напряжение при температуре от 213 до 343 К 400 мВ
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К 20 мВ
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К:  
1И104А, 1И104Б, 1И104В, 1И104Г 1 мА
1И104Д, 1И104Е 0,51 мА
Постоянный обратный ток при температуре от 213 до 343 К 1,5 мА
Температура окружающей среды От 213 до 343 К

Примечания:

  1. Не допускается проверка диодов тестером.
  2. Прижимное усилие на диод при креплении должно быть не более 15 Н.
  3. Разрешаются припайка и приварка ленточных выводов к корпусу диода, при этом нагрев диода не должен превышать 343 К.
  4. При измерениях и работе с диодом необходимо брать его заземленным пинцетом или применять браслет для снятия статистического заряда.

1

Вольт-амперная характеристика.

2

Зона возможных положений зависимости отрицательной проводимости перехода от постоянного прямого напряжения.

3

Зона возможных положений зависимости шумовой постоянной от постоянного прямого напряжения.

4

Зона возможных положений зависимости пикового тока от температуры.

5

Зона возможных положений зависимости тока впадины от температуры.

6

Зона возможных положений зависимости отрицательной проводимости перехода от температуры.