2С514А, 2С514Б, 2С514В, 2С514А1, 2С514Б1, 2С514В1, 2С602А, 2С602А1

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, ограничительные, несимметричные, средней мощности. Предназначены для защиты радиоэлектронной аппаратуры от перенапряжений, обусловленных переходными процессами, разрядами статического электричества или наведенных электромагнитными импульсами. Выпускаются в. металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. В рабочем режиме полярность включения диода обратная по отношению к указанной на чертеже.

Масса диода не более 1,9 г.

0

Электрические параметры

Пробивное напряжение при Iобр=1 мА:  
2С514А:  
Т=+30°С 58,9...62*...65,1 В
Т=-60°С 53,1...65,1 В
Т=+125°С 58,9...71,8 В
2С514А1:  
Т=+25°С 55,8...62*...68,2 В
Т=—60°С 50,2...68,2 В
Т=+125°С 55,8...75,1 В
2С514Б:  
Т=+30°С 64,6...68*...71,4 В
Т=—60°С 58,3...71,4В
Т=+125°С 64,6...78,4 В
2С514Б1:  
Т=+25°С 61,2...68*...74,8 В
Т=-60°С 55...74,8 В
Т=+125°С 61,2...83,5 В
2С514В:  
Т=+30°С 77,9...82*...86,1 В
Т=—60°С 70,2...86,1 В
Т=+125°С 77,9...95 В
2С514В1:  
Т=+25°С 73,8...82*...90,2 В
Т=—60°С 66,3...90,2 В
Т=+125°С 73,8...100,8 В
2С602А:  
Т=+30°С 105...110*...116 В
Т=—60°С 94,4...116 В
Т=+125°С 105...128,3 В
2С602А1:  
Т=+25°С 99...110*...121 В
Т=—60°С 88,7...121 В
Т=+125°С 99...135,5 В
Импульсное обратное напряжение:  
2С514А при Iобр.и=17,7 А 65*...68*...80 В
2С514А1 при Iобр.и=16,9 А 62*...68*...89 В
2С514Б при Iобр.и=16,3 А 68*...71*...85 В
2С514Б1 при Iобр.и=15,3 А 66*...70*...98 В
2С514В при Iобр.и=13,3 А 84*...86*...100 В
2С514В1 при Iобр.и=12,7 А 80*...85*...118 В
2С602А при Iобр.и=9,9 А 114*...117*...135 В
2С602А1 при Iобр.и=9,5 А 110*...117*...158 В
Постоянное прямое напряжение при Iпр=50 мА 1* В
Импульсвое прямое напряжение при Iпр=100 А и tи=10 мс по основанию полусинусоиды:  
2С514А, 2С514А1, 2С514Б, 2С514Б1 1,8*...2,2*...3,5* В
2С514В, 2С514В1, 2С602А, 2С602А1 2,3*...2,6*...3,5* В
Температурный коэффициент пробивного напряжения при Iобр=1 мА:  
2С514А, 2С514А1 0,088*...0,090*...0,104%/°С
2С514Б, 2С514Б1 0,088*...0,089*...0,104%/°С
2С514В, 2С514В1 0,092*...0,094*...0,105%/°С
2С602А, 2С602А1 0,096*...0,097*...0,107%/°С
Постоянный обратный ток:  
при Т=+25°С:  
2С514А при Uобр=53 В 0,007*...0,012*...5 мкА
2С514А1 при Uобр=50,2 В 0,006*...0,011*...5 мкА
2С514Б при Uобр=58,1 В 0,008*...0,015*...5 мкА
2С514Б1 при Uобр=55,1 В 0,007*...0,015*...5 мкА
2С514В при Uобр=70,1 В 0,008*...0,028*...5 мкА
2С514В1 при Uобр=66,4 В 0,006*...0,026*...5 мкА
2С602А при Uобр=94 В 0,007*...0,030*...5 мкА
2С602А1 при Uобр=89,2 В 0,006*...0,030*...5 мкА
при Т=+125°С и Uобр=53 В для 2С514А; Uобр=50,2 В для 2С514А1; Uобр=58,1 В для 2С514Б; Uобр=55,1 В для 2С514Б1; Uобр=70,1 В для 2С514В; Uобр=66,4 В для 2С514В1; Uобр=94 В для 2С602А; Uобр=89,2 В для 2С602А1, не более 500 мкА
Емкость диода:  
2С514А 250*...258*...261* пФ
2С514А1 247*...258*...265* пФ
2С514Б 235*...238*...242* пФ
2С514Б1 231*...237*...245* пФ
2С514В 172*...174*...175* пФ
2С514В1 168*...174*...179* пФ
2С602А 123*...126*...128* пФ
2С602А1 117*...125*...134* пФ
Индуктивность диода 15* нГн
Расчетное время пробоя, не более 1* пс

Предельные эксплуатационные данные

Импульсный обратный ток1 при импульсе в виде убывающей экспоненты с tи(0,5)=1 мкс и Q≥104:  
при Т≤+35°С:  
2С514А 17,7 А
2С514А1 16,9 А
2С514Б 16,3 А
2С514Б1 15,3 А
2С514В 13,3 А
2С514В1 12,7 А
2С602А 9,9 А
2С602А1 9,5 А
при Т=+125°С:  
2С514А 3,5 А
2С514А1 3,3 А
2С514Б 3,2 А
2С514Б1 3 А
2С514В 2,6 А
2С514В1 2,5 А
2С602А, 2С602А1 1,9 А
при Т≤+35°С и 1,3*10-4 Па:  
2С514А 8,85 А
2С514А1 8,45 А
2С514Б 8,15 А
2С514Б1 7,65 А
2С514В 6,65 А
2С514В1 6,35 А
2С602А, 4,95 А
2С602А1 4,75 А
при Т=+125°С и P=l,3*10-4 Па:  
2С514А 1,75 А
2С514А1 1,65 А
2С514Б 1,6 А
2С514Б1 1,5 А
2С514В 1,3 А
2С514В1 1,25 А
2С602А, 2С602А1 1,45 А
Импульсный прямой ток при tи=10 мс по основанию полусинусоиды 100 А
Постоянная обратная рассеиваемая мощность1:  
при Т≤+35°С 1 Вт
при Т=+125°С 0,25 Вт
Импульсная неповторяющаяся обратная рассеиваемая мощность при импульсе в виде, убывающей экспоненты с tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104:  
при Т≤+35°С 1,5 кВт
при Т=+125°С 300 Вт
при Т≤+35°С и Р=1,3*10-4 Па 750 Вт
при Т=+125°С и Р=1,3*10-4 Па 150 Вт
Число импульсов с максимально допустимой импульсной не повторяющейся обратной рассеиваемой мощностью 500
Потенциал статического электричества 1 кВ
Тепловое сопротивление переход — среда 95*°С/мВт
Температура окружающей среды —60...+125°С
1 В интервале температур окружающей среды +35...+125°С допустимые значения импульсного обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки.

Пайка -выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125°С.

В схемах защиты от переходных процессов допускается использовать диоды при прямом токе, равном допустимому обратному току. Допускается последовательное и встречно-последовательное соединение диодов. Параллельное соединение разрешается при условиях, если ток каждого диода не превышает -допустимых значений, а разница между ними по пробивному напряжению не превышает 20 мВ.