2С514А, 2С514Б, 2С514В, 2С514А1, 2С514Б1, 2С514В1, 2С602А, 2С602А1

2С514А, 2С514Б, 2С514В, 2С514А1, 2С514Б1, 2С514В1, 2С602А, 2С602А1

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, ограничительные, несимметричные, средней мощности. Предназначены для защиты радиоэлектронной аппаратуры от перенапряжений, обусловленных переходными процессами, разрядами статического электричества или наведенных электромагнитными импульсами. Выпускаются в. металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. В рабочем режиме полярность включения диода обратная по отношению к указанной на чертеже.

Масса диода не более 1,9 г.

0

Электрические параметры

Пробивное напряжение при Iобр=1 мА:  
2С514А:  
Т=+30°С 58,9...62*...65,1 В
Т=-60°С 53,1...65,1 В
Т=+125°С 58,9...71,8 В
2С514А1:  
Т=+25°С 55,8...62*...68,2 В
Т=—60°С 50,2...68,2 В
Т=+125°С 55,8...75,1 В
2С514Б:  
Т=+30°С 64,6...68*...71,4 В
Т=—60°С 58,3...71,4В
Т=+125°С 64,6...78,4 В
2С514Б1:  
Т=+25°С 61,2...68*...74,8 В
Т=-60°С 55...74,8 В
Т=+125°С 61,2...83,5 В
2С514В:  
Т=+30°С 77,9...82*...86,1 В
Т=—60°С 70,2...86,1 В
Т=+125°С 77,9...95 В
2С514В1:  
Т=+25°С 73,8...82*...90,2 В
Т=—60°С 66,3...90,2 В
Т=+125°С 73,8...100,8 В
2С602А:  
Т=+30°С 105...110*...116 В
Т=—60°С 94,4...116 В
Т=+125°С 105...128,3 В
2С602А1:  
Т=+25°С 99...110*...121 В
Т=—60°С 88,7...121 В
Т=+125°С 99...135,5 В
Импульсное обратное напряжение:  
2С514А при Iобр.и=17,7 А 65*...68*...80 В
2С514А1 при Iобр.и=16,9 А 62*...68*...89 В
2С514Б при Iобр.и=16,3 А 68*...71*...85 В
2С514Б1 при Iобр.и=15,3 А 66*...70*...98 В
2С514В при Iобр.и=13,3 А 84*...86*...100 В
2С514В1 при Iобр.и=12,7 А 80*...85*...118 В
2С602А при Iобр.и=9,9 А 114*...117*...135 В
2С602А1 при Iобр.и=9,5 А 110*...117*...158 В
Постоянное прямое напряжение при Iпр=50 мА 1* В
Импульсвое прямое напряжение при Iпр=100 А и tи=10 мс по основанию полусинусоиды:  
2С514А, 2С514А1, 2С514Б, 2С514Б1 1,8*...2,2*...3,5* В
2С514В, 2С514В1, 2С602А, 2С602А1 2,3*...2,6*...3,5* В
Температурный коэффициент пробивного напряжения при Iобр=1 мА:  
2С514А, 2С514А1 0,088*...0,090*...0,104%/°С
2С514Б, 2С514Б1 0,088*...0,089*...0,104%/°С
2С514В, 2С514В1 0,092*...0,094*...0,105%/°С
2С602А, 2С602А1 0,096*...0,097*...0,107%/°С
Постоянный обратный ток:  
при Т=+25°С:  
2С514А при Uобр=53 В 0,007*...0,012*...5 мкА
2С514А1 при Uобр=50,2 В 0,006*...0,011*...5 мкА
2С514Б при Uобр=58,1 В 0,008*...0,015*...5 мкА
2С514Б1 при Uобр=55,1 В 0,007*...0,015*...5 мкА
2С514В при Uобр=70,1 В 0,008*...0,028*...5 мкА
2С514В1 при Uобр=66,4 В 0,006*...0,026*...5 мкА
2С602А при Uобр=94 В 0,007*...0,030*...5 мкА
2С602А1 при Uобр=89,2 В 0,006*...0,030*...5 мкА
при Т=+125°С и Uобр=53 В для 2С514А; Uобр=50,2 В для 2С514А1; Uобр=58,1 В для 2С514Б; Uобр=55,1 В для 2С514Б1; Uобр=70,1 В для 2С514В; Uобр=66,4 В для 2С514В1; Uобр=94 В для 2С602А; Uобр=89,2 В для 2С602А1, не более 500 мкА
Емкость диода:  
2С514А 250*...258*...261* пФ
2С514А1 247*...258*...265* пФ
2С514Б 235*...238*...242* пФ
2С514Б1 231*...237*...245* пФ
2С514В 172*...174*...175* пФ
2С514В1 168*...174*...179* пФ
2С602А 123*...126*...128* пФ
2С602А1 117*...125*...134* пФ
Индуктивность диода 15* нГн
Расчетное время пробоя, не более 1* пс

Предельные эксплуатационные данные

Импульсный обратный ток1 при импульсе в виде убывающей экспоненты с tи(0,5)=1 мкс и Q≥104:  
при Т≤+35°С:  
2С514А 17,7 А
2С514А1 16,9 А
2С514Б 16,3 А
2С514Б1 15,3 А
2С514В 13,3 А
2С514В1 12,7 А
2С602А 9,9 А
2С602А1 9,5 А
при Т=+125°С:  
2С514А 3,5 А
2С514А1 3,3 А
2С514Б 3,2 А
2С514Б1 3 А
2С514В 2,6 А
2С514В1 2,5 А
2С602А, 2С602А1 1,9 А
при Т≤+35°С и 1,3*10-4 Па:  
2С514А 8,85 А
2С514А1 8,45 А
2С514Б 8,15 А
2С514Б1 7,65 А
2С514В 6,65 А
2С514В1 6,35 А
2С602А, 4,95 А
2С602А1 4,75 А
при Т=+125°С и P=l,3*10-4 Па:  
2С514А 1,75 А
2С514А1 1,65 А
2С514Б 1,6 А
2С514Б1 1,5 А
2С514В 1,3 А
2С514В1 1,25 А
2С602А, 2С602А1 1,45 А
Импульсный прямой ток при tи=10 мс по основанию полусинусоиды 100 А
Постоянная обратная рассеиваемая мощность1:  
при Т≤+35°С 1 Вт
при Т=+125°С 0,25 Вт
Импульсная неповторяющаяся обратная рассеиваемая мощность при импульсе в виде, убывающей экспоненты с tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104:  
при Т≤+35°С 1,5 кВт
при Т=+125°С 300 Вт
при Т≤+35°С и Р=1,3*10-4 Па 750 Вт
при Т=+125°С и Р=1,3*10-4 Па 150 Вт
Число импульсов с максимально допустимой импульсной не повторяющейся обратной рассеиваемой мощностью 500
Потенциал статического электричества 1 кВ
Тепловое сопротивление переход — среда 95*°С/мВт
Температура окружающей среды —60...+125°С
1 В интервале температур окружающей среды +35...+125°С допустимые значения импульсного обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки.

Пайка -выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125°С.

В схемах защиты от переходных процессов допускается использовать диоды при прямом токе, равном допустимому обратному току. Допускается последовательное и встречно-последовательное соединение диодов. Параллельное соединение разрешается при условиях, если ток каждого диода не превышает -допустимых значений, а разница между ними по пробивному напряжению не превышает 20 мВ.