3А529А, 3А529Б
Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в схемах преобразования импульсных сигналов пико- и наносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Положительный вывод имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=2 мА, не более: | |
| при 298 и 358 К | |
| 3А529А | 0,9 В |
| 3А529Б | 1,0 В |
| при 213 К | |
| 3А529А | 1,2 В |
| 3А529Б | 1,3 В |
| Постоянный обратный ток при Uобр=5 В, не более: | |
| при 213 и 298 К | 1,0 мкА |
| при 358 К | 50 мкА |
| Общая емкость диода при Uобр=0 В, не более: | |
| 3А529А | 0,4 пФ |
| 3А529Б | 0,25 пФ |
| Дифференциальное сопротивление при Iпр=2 мА, не более | 70* Ом |
| Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, не более | 100 * пс |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К | 5 В |
| Импульсное обратное напряжение при τи≤10 мкс и частоте не более 1 кГц при температуре: | |
| от 213 до 308 К | 7 В |
| при 358 К | 3,5 В |
| Средний прямой ток при температуре: | |
| от 213 до 308 К | 2 мА |
| при 358 К | 1 мА |
| Импульсный прямой ток при τи≤10 мкс и частоте не более 1 кГц при температуре: | |
| от 213 до 308 К | 5 мА |
| при 358 К | 2,5 мА |
| Импульсная рассеиваемая мощность при 1 мкс, скважности 1000 и температуре от 213 до 358 К | 0,5 мВт |
| Температура окружающей среды | от 213 до 358 К |
Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.
Зависимость обшей емкости от напряжения.
Зависимость максимально допустимого импульсного обратного напряжения от температуры.
Зависимость дифференциального сопротивления от прямою тока.
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры.