2Д2997А, 2Д2997Б, 2Д2997В, КД2997А, КД2997Б, КД2997В
Диоды кремниевые, эпитаксиально-диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом). Тил диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г,
Электрические параметры
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=30 А, не более: | |
| при Т=25°С | 1 В |
| типовое значение | 0,85* В |
| при Т=Тмин | 1,5 В |
| Постоянный обратный ток при Uобр=Uобр.макс, не более: | |
| при Т=+25°С | 0,2 мА |
| при Т=+125°С | 25 мА |
| Время обратного восстановления при Uобр.и = 20 В, Iпр.и=1 А и Iобр.и=0,5 А, не более | 200 нс |
| типовое значение | 110* нс |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное обратное напряжение: | |
| 2Д2997А, КД2997А | 200 В |
| 2Д2997Б, КД2997Б | 100 В |
| 2Д2997В, КД2997В | 50 В |
| Импульсное обратное напряжение при Iобр≤6 А для tи≤0,5 мкс, Iобр.и<3 А для tи≤1 мкс и средней мощности перегрузки не более 4 Вт: | |
| 2Д2997А, КД2997А | 250 В |
| 2Д2997Б, КД2997Б | 200 В |
| 2Д2997В, КД2997В | 100 В |
| Постоянный (средний1) прямой ток: | |
| при Т=Тмин...+85°С | 30 А |
| при Т=+125°С2 | 3 А |
| Импульсный прямой ток при tи≤50 мкс, Q≥1000, T=—60...+85°С — для 2Д2997А, 2Д2997Б, 2Д2997В и T=—40...125°С — для КД2997А, КД2997Б, КД2997В | 100 А |
| Средняя рассеиваемая мощность: | |
| при Т=Тмин...+85°С | 30 Вт |
| при Т=+125°С2 | 3 Вт |
| Частота со снижением среднего прямого тока | 100 кГц |
| Температура окружающей среды: | |
| 2Д2997А, 2Д2997Б, 2Д2997В | —60...+125°С |
| КД2997А, КД2997Б, КД2997В | —40...+125°С |
1 Допустимое значение среднего прямого тока в зависимости от частоты пре-образуемого напряжения выбирается из условия непревышения допустимой средней рассеиваемой мощности диода при данной температуре окружающей среды.
2 В диапазоне температур +85...+125°С значения прямых токов и рассеиваемой мощности снижаются линейно.
Крепление диодов в аппаратуре рекомендуется осуществлять путем приклеивания теплопроводящим клеем, не приводящим к разрушению конструкции диода, или с помощью крепежного фланца. Усилие прижима должно быть 29,4...49 Н (3...5 кГс). Пайку выводов рекомендуется проводить при температуре не свыше +250...+270°С в течение не более 5 с не ближе 5 мм от корпуса.
Зависимости прямого тока от напряжения
Зависимость общей емкости диода от напряжения
Зависимость времени обратного восстановления от температуры