2А516А

Диод кремниевый сплавной с p-i-n структурой. Предназначен для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусной с жесткими выводами. Тип диода указывается на упаковке. Полярность диода определяется тестером.

Масса диода не более 1,3 г.

0

Электрические параметры

Прямое сопротивление потерь при Iпр=100 мА, не более:  
при 298 К 5,5 Ом
при 213 и 398 К 6,5 Ом
Сопротивление диода в нулевой точке при Рпд≤5 мВт, не менее 3 000 Ом
Время установления прямого сопротивления при f=3000 МГц, Рпд≥1 мВт, τи=40...120 мкс, Iн=100 мА, не более 6 мкс
Время восстановления обратного сопротивления при f=3000 МГц, Рпд≥1 мВт, τи=40...100 мкс, не более 45 мкс
Общая емкость диода при нулевом смещении, не более 0,18 пФ
Критическая частота* 70 ГГц

Предельные эксплуатационные данные

Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 398 К 1 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при W=50 Ом, скважности 200—1000, τи=1...5 мкс и температуре 1 кВт
Постоянный прямой ток 100 мА
Постоянное обратное напряжение 200 В
Температура окружающей среды От 213 до 338 К
Температура перехода 398 К

1

Зависимость прямого conpoтивления потерь от постоянного прямого напряжения.

2

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.

3

Зависимость прямого сопротивления потерь от температуры.