2А516А
Диод кремниевый сплавной с p-i-n структурой. Предназначен для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусной с жесткими выводами. Тип диода указывается на упаковке. Полярность диода определяется тестером.
Масса диода не более 1,3 г.
Электрические параметры
| Прямое сопротивление потерь при Iпр=100 мА, не более: | |
| при 298 К | 5,5 Ом |
| при 213 и 398 К | 6,5 Ом |
| Сопротивление диода в нулевой точке при Рпд≤5 мВт, не менее | 3 000 Ом |
| Время установления прямого сопротивления при f=3000 МГц, Рпд≥1 мВт, τи=40...120 мкс, Iн=100 мА, не более | 6 мкс |
| Время восстановления обратного сопротивления при f=3000 МГц, Рпд≥1 мВт, τи=40...100 мкс, не более | 45 мкс |
| Общая емкость диода при нулевом смещении, не более | 0,18 пФ |
| Критическая частота* | 70 ГГц |
Предельные эксплуатационные данные
| Рассеиваемая мощность при температуре от 213 до 398 К | 1 Вт |
| Импульсная падающая СВЧ мощность при W=50 Ом, скважности 200—1000, τи=1...5 мкс и температуре | 1 кВт |
| Постоянный прямой ток | 100 мА |
| Постоянное обратное напряжение | 200 В |
| Температура окружающей среды | От 213 до 338 К |
| Температура перехода | 398 К |
Зависимость прямого conpoтивления потерь от постоянного прямого напряжения.
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.
Зависимость прямого сопротивления потерь от температуры.