2С503АС, 2С503БС, 2С503ВС
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, ограничительные, симметричные, средней мощности. Предназначены для одностороннего и двустороннего ограничения импульсов напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Полярность включения значения не имеет.
Масса диода не более 2,3 г.
Габаритный чертеж соответствует 2С401А.
Электрические параметры
Напряжение пробоя при Iобр=1 мА: | |
при Т=+25°С: | |
2С503АС | 10,8...12*...13,2 В |
2С503БС | 29,7...33*...36,3 В |
2С503ВС | 35,4...39*...42,9 В |
при Т=—60°С: | |
2С503АС | 10...13,2 |
2С503БС | 26,9...36,3 В |
2С503ВС | 31,8...42,9 В |
при Т=+125°С: | |
2С503АС | 10,8...14,3 В |
2С503БС | 29,7...40,3 В |
2С503ВС | 35,1...47,7 В |
Импульсное напряжение ограничения при Iобр.и.макс и Т=—60...125°С, не более: | |
2С503АС | 17 В |
2С503БС | 47 В |
2С503ВС | 56 В |
Температурный коэффициент напряжения пробоя при Iобр=1 мА и Т=—60...+125°С, не более: | |
2С503АС | 0,078%/°С |
2С503БС | 0,098%/°С |
2С503ВС | 0,100%/°С |
Рабочий диапазон токов в области пробоя: | |
2С503АС | 1*...76* мА |
2С503БС | 1*...27* мА |
2С503ВС | 1*...23* мА |
Постоянный обратный ток 2С503АС при Uобр=9 В, 2С503БС при Uобр=26 В, 2С503ВС при Uобр=31 В, не более: | |
при Т=—60...+35°С | 5 мкА |
при Т=+125°С | 500 мкА |
Расчетное время пробоя, не более | 1 нс |
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение: | |
2С503АС | 9 В |
2С503БС | 26 В |
2С503ВС | 31 В |
Импульсный обратный ток1 при форме импульса в виде убывающей экспоненты с параметрами tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104: | |
при Т=—60...+35°С: | |
2С503АС | 87 А |
2С503БС | 31,5 А |
2С503ВС | 26,5 А |
при Т=+125°С: | |
2С503АС | 17,3 А |
2С503БС | 6,3 А |
2С503ВС | 5,3 А |
Постоянная рассеиваемая мощность1: | |
при Т=—60...+35°С | 1 Вт |
при Т=+125°С | 0,2 Вт |
Импульсная рассеиваемая мощность при tи(0,5)=1 мс и Q≥104: | |
при Т=-60...+35°С | |
при Т=+125°С | 0,3 кВт |
Число импульсов перегрузки при Ри.макс | 500 |
Температура окружающей среды | —60...+125°С |
1 В интервале температур окружающей среды +35...+125°С допустимые значения импульсного обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются линейно.
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки с радиусом закругления не менее 2 мм. Растягивающая выводы сила не должна превышать 19,6 Н.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125°С.
Допускается последовательное соединение любого числа диодов. Параллельное включение диодов разрешается при условии, если разница их напряжений пробоя не превышает 50 мВ.