2С503АС, 2С503БС, 2С503ВС

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, ограничительные, симметричные, средней мощности. Предназначены для одностороннего и двустороннего ограничения импульсов напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Полярность включения значения не имеет.

Масса диода не более 2,3 г.

Габаритный чертеж соответствует 2С401А.

Электрические параметры

Напряжение пробоя при Iобр=1 мА:  
при Т=+25°С:  
2С503АС 10,8...12*...13,2 В
2С503БС 29,7...33*...36,3 В
2С503ВС 35,4...39*...42,9 В
при Т=—60°С:  
2С503АС 10...13,2
2С503БС 26,9...36,3 В
2С503ВС 31,8...42,9 В
при Т=+125°С:  
2С503АС 10,8...14,3 В
2С503БС 29,7...40,3 В
2С503ВС 35,1...47,7 В
Импульсное напряжение ограничения при Iобр.и.макс и Т=—60...125°С, не более:  
2С503АС 17 В
2С503БС 47 В
2С503ВС 56 В
Температурный коэффициент напряжения пробоя при Iобр=1 мА и Т=—60...+125°С, не более:  
2С503АС 0,078%/°С
2С503БС 0,098%/°С
2С503ВС 0,100%/°С
Рабочий диапазон токов в области пробоя:  
2С503АС 1*...76* мА
2С503БС 1*...27* мА
2С503ВС 1*...23* мА
Постоянный обратный ток 2С503АС при Uобр=9 В, 2С503БС при Uобр=26 В, 2С503ВС при Uобр=31 В, не более:  
при Т=—60...+35°С 5 мкА
при Т=+125°С 500 мкА
Расчетное время пробоя, не более 1 нс

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение:  
2С503АС 9 В
2С503БС 26 В
2С503ВС 31 В
Импульсный обратный ток1 при форме импульса в виде убывающей экспоненты с параметрами tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104:  
при Т=—60...+35°С:  
2С503АС 87 А
2С503БС 31,5 А
2С503ВС 26,5 А
при Т=+125°С:  
2С503АС 17,3 А
2С503БС 6,3 А
2С503ВС 5,3 А
Постоянная рассеиваемая мощность1:  
при Т=—60...+35°С 1 Вт
при Т=+125°С 0,2 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при tи(0,5)=1 мс и Q≥104:  
при Т=-60...+35°С  
при Т=+125°С 0,3 кВт
Число импульсов перегрузки при Ри.макс 500
Температура окружающей среды —60...+125°С
1 В интервале температур окружающей среды +35...+125°С допустимые значения импульсного обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки с радиусом закругления не менее 2 мм. Растягивающая выводы сила не должна превышать 19,6 Н.

Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125°С.

Допускается последовательное соединение любого числа диодов. Параллельное включение диодов разрешается при условии, если разница их напряжений пробоя не превышает 50 мВ.