2А520А, КА520А, КА520Б

Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах СВЧ диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке.

Масса диода не более 1,3 г.

Пробивное напряжение, не менее:
2А520А, КА520А	800 В
КА520Б	600 В
Общая емкость диода при Uобр=0	От 0,4 до 1,0 пФ
Критическая частота при Iпр=100 мА, Uобр=100 В, Рпд≥1 мВт, λ=7...4,5 см, не менее:
при 298 К
2А520А, КА520А	200 ГГц
КА520Б	150 ГГц
при 213 и 398 К
2А520А, КА520А	170 ГГц
Накопленный заряд при Iпр=100 мА, не более	300 нКл
Прямое сопротивление потерь при Iпр=100 мА, Рпд≥1 мВт, λ=7...4,5 см, не более:
при 298 К
2А520А, КА520А	2 Ом
КА520Б	3 Ом
при 213 и 398 К
2А520А, КА520А	2,3 Ом
Индуктивность выводов	0,45 нГн

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К	300 В
Мгновенное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К	750 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:
от 213 до 308 К	4 Вт
при 398 К	1,3 Вт
Температура окружающей среды	От 213 до 398 К

Примечание. Допускается кратковременный (в течение 0,5 мин) нагрев диода до 473 К.

Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного обратного напряжения.

Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от длительности импульса.

Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.