2А520А, КА520А, КА520Б

0

Диоды кремниевые эпитаксиальные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах СВЧ диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке.

Масса диода не более 1,3 г.

1

Электрические параметры

Пробивное напряжение, не менее:  
2А520А, КА520А 800 В
КА520Б 600 В
Общая емкость диода при Uобр=0 От 0,4 до 1,0 пФ
Критическая частота при Iпр=100 мА, Uобр=100 В, Рпд≥1 мВт, λ=7...4,5 см, не менее:  
при 298 К  
2А520А, КА520А 200 ГГц
КА520Б 150 ГГц
при 213 и 398 К  
2А520А, КА520А 170 ГГц
Накопленный заряд при Iпр=100 мА, не более 300 нКл
Прямое сопротивление потерь при Iпр=100 мА, Рпд≥1 мВт, λ=7...4,5 см, не более:  
при 298 К  
2А520А, КА520А 2 Ом
КА520Б 3 Ом
при 213 и 398 К  
2А520А, КА520А 2,3 Ом
Индуктивность выводов 0,45 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 300 В
Мгновенное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 750 В
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:  
от 213 до 308 К 4 Вт
при 398 К 1,3 Вт
Температура окружающей среды От 213 до 398 К

Примечание. Допускается кратковременный (в течение 0,5 мин) нагрев диода до 473 К.

2

Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.

3

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.

4

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного обратного напряжения.

5

Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от длительности импульса.

6

Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.