2А519А
Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для применения в устройствах ограничения и управления мощностью в сантиметровом и дециметровом диапазонах.
Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в индивидуальной упаковке вместе с диодом. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 0,1 г.
Электрические параметры
| Прямое сопротивление потерь при высоком значении СВЧ мощности и Iпр=100 мА, не более | 2,2 Ом |
| Прямое сопротивление потерь при низком значении СВЧ мощности, f=9,4 ГГц, Рпд=1 мВт, не более: | |
| при 298 и 213 К | 20 Ом |
| при 398 К | 25 Ом |
| Общая емкость при нулевом смещении | От 0,5 до 0,9 пФ |
| Постоянный обратный ток при Uобр=20 В, не более | 100 мкА |
| Граничная мощность | 1000 мВт |
| Время восстановления обратного сопротивления*, не более | 200 нс |
| Накопленный заряд при Iпр=100 мА, не более | 8 нКл |
| Емкость корпуса | От 0,2 до 0,3 пФ |
| Индуктивность диода*, не более | 0,7 нГн |
Предельные эксплуатационные данные
| Рассеиваемая мощность при температуре корпуса: | |
| от 213 до 353 К | 0,3 Вт |
| при 398 К | 0,1 Вт |
| Импульсная рассеиваемая мощность при скважности, большей или равной 1000, τи≤1 мкс и температуре корпуса: | |
| от 213 до 353 К | 30 Вт |
| при 398 К | 10 Вт |
| Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 353 К | 10 В |
| Постоянный прямой ток при температуре корпуса от 213 до 353 К | 100 мА |
| Температура окружающей среды | От 213 до 398 К |
| Температура перехода | 423 К |
Примечание. Диоды не подлежат пайке.
Зависимость рассеиваемой мощности от температуры корпуса.
Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от температуры корпуса.
Зависимость прямого сопротивления потерь при высоком значении СВЧ мощности от постоянного прямого тока.
Зависимость общей емкости диода от температуры корпуса.
Зависимости постоянного прямого и обратного токов от температуры корпуса.