2А519А

Диод кремниевый эпитаксиальный. Предназначен для применения в устройствах ограничения и управления мощностью в сантиметровом и дециметровом диапазонах.

Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в индивидуальной упаковке вместе с диодом. Положительный вывод — со стороны крышки.

Масса диода не более 0,1 г.

0

Электрические параметры

Прямое сопротивление потерь при высоком значении СВЧ мощности и Iпр=100 мА, не более 2,2 Ом
Прямое сопротивление потерь при низком значении СВЧ мощности, f=9,4 ГГц, Рпд=1 мВт, не более:  
при 298 и 213 К 20 Ом
при 398 К 25 Ом
Общая емкость при нулевом смещении От 0,5 до 0,9 пФ
Постоянный обратный ток при Uобр=20 В, не более 100 мкА
Граничная мощность 1000 мВт
Время восстановления обратного сопротивления*, не более 200 нс
Накопленный заряд при Iпр=100 мА, не более 8 нКл
Емкость корпуса От 0,2 до 0,3 пФ
Индуктивность диода*, не более 0,7 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:  
от 213 до 353 К 0,3 Вт
при 398 К 0,1 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при скважности, большей или равной 1000, τи≤1 мкс и температуре корпуса:  
от 213 до 353 К 30 Вт
при 398 К 10 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 353 К 10 В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от 213 до 353 К 100 мА
Температура окружающей среды От 213 до 398 К
Температура перехода 423 К

Примечание. Диоды не подлежат пайке.

'1

Зависимость рассеиваемой мощности от температуры корпуса.

2

Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от температуры корпуса.

3

Зависимость прямого сопротивления потерь при высоком значении СВЧ мощности от постоянного прямого тока.

4

Зависимость общей емкости диода от температуры корпуса.

5

Зависимости постоянного прямого и обратного токов от температуры корпуса.