2А515А
Диод кремниевый эпитаксиальный с p-i-n структурой. Предназначен для работы в переключающих устройствах коротковолновой части сантиметрового диапазона.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в индивидуальную тару. Диод маркируется зеленой точкой на корпусе. Положительный вывод — со стороны крышки.
Масса диода не более 1,3 г.
Электрические параметры
| Пробивное напряжение при Iобр.и=10 мА, f=5 кГц, τи=3 мкс, не менее | 100 В |
| Общая емкость диода при Uобр=50 В | От 0,4 до 0,7 пФ |
| Критическая частота при Iпр=25 мА, Uобр=50 В, не менее: | |
| при 298 К | 100 ГГц |
| при 213 и 398 К | 70 ГГц |
| Накопленный заряд при Iпр=25 мА, не более | 15 нКл |
| Прямое сопротивление потерь при Iпр=25 мА, не более | 2,5 Ом |
| Емкость корпуса | От 0,3 до 0,45 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Рассеиваемая мощность при температуре корпуса: | |
| от 213 до 308 К | 0,5 Вт |
| при 398 К | 0,3 Вт |
| Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 398 К | 75 В |
| Мгновенное напряжение при температуре корпуса от 213 до 398 К | 85 В |
| Постоянный прямой ток при температуре корпуса от 213 до 398 К | 100 мА |
| Температура окружающей среды | От 213 до 398 К |
| Температура корпуса | 398 К |
Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.
Зависимость обратного сопротивления потерь от постоянного прямого тока.
Зависимость рассеиваемой мощности от температуры корпуса.