2А515А

Диод кремниевый эпитаксиальный с p-i-n структурой. Предназначен для работы в переключающих устройствах коротковолновой части сантиметрового диапазона.

Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на вкладыше, помещаемом в индивидуальную тару. Диод маркируется зеленой точкой на корпусе. Положительный вывод — со стороны крышки.

Масса диода не более 1,3 г.

0

Электрические параметры

Пробивное напряжение при Iобр.и=10 мА, f=5 кГц, τи=3 мкс, не менее 100 В
Общая емкость диода при Uобр=50 В От 0,4 до 0,7 пФ
Критическая частота при Iпр=25 мА, Uобр=50 В, не менее:  
при 298 К 100 ГГц
при 213 и 398 К 70 ГГц
Накопленный заряд при Iпр=25 мА, не более 15 нКл
Прямое сопротивление потерь при Iпр=25 мА, не более 2,5 Ом
Емкость корпуса От 0,3 до 0,45 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Рассеиваемая мощность при температуре корпуса:  
от 213 до 308 К 0,5 Вт
при 398 К 0,3 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре корпуса от 213 до 398 К 75 В
Мгновенное напряжение при температуре корпуса от 213 до 398 К 85 В
Постоянный прямой ток при температуре корпуса от 213 до 398 К 100 мА
Температура окружающей среды От 213 до 398 К
Температура корпуса 398 К

1

Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.

2

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.

3

Зависимость обратного сопротивления потерь от постоянного прямого тока.

4

Зависимость рассеиваемой мощности от температуры корпуса.