2С408А
Диод кремниевый, диффузионный, ограничительный, несимметричный, средней мощности. Предназначен для одностороннего ограничения импульсов напряжения. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Корпус в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом).
Масса диода не более 2,3 г.
Габаритный чертеж соответствует 2С401А.
Электрические параметры
| Напряжение пробоя при Iобр=1 мА: | |
| при Т=+30°С | 5,89...6,2*...6,51 В |
| при Т=—60°С | 5,5... 6,82 В |
| при Т=+125°С | 5,56...7,02 В |
| Импульсное напряжение ограничения при Iобр.и.макс, Т=—60...+35 и +125°С, не более | 10 В |
| Температурный коэффициент напряжения пробоя при Iобр=1 мА и Т=—60...+125°С | —0,05...0,07%/С |
| Постоянный обратный ток при Uобр=5 В, не более: | |
| при Т=-60...+35°С | 0,3 мА |
| при Т=+125°С | 3 мА |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное обратное напряжение | 5 В |
| Импульсный обратный ток1 при форме импульса в виде убывающей экспоненты с параметрами tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104: | |
| при Т=—60...+35°С | 150 А |
| при Т=125°С | 30 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность1: | |
| при Т=—60...+35°С | 1 Вт |
| при Т=+125°С | 0,2 Вт |
| Импульсная рассеиваемая мощность при форме импульса в виде убывающей экспоненты с параметрами tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мс и Q≥104: | |
| при Т=—60...+35°С | 1,5 кВт |
| при Т=+125°С | 0,3 кВт |
| Число импульсов перегрузки при Ри.макс | 100 |
| Температура окружающей среды | —60...+125°С |
1 В интервале температур окружающей среды +35...125°С допустимые значения обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются линейно.
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки с радиусом закругления не менее 2 мм. Растягивающая выводы сила не должна превышать 19,6 Н.
Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125°С.
Допускается последовательное соединение любого числа диодов. Параллельное включение диодов разрешается при условии, если разница их напряжений пробоя не превышает 20 мВ.
Зависимость максимальной импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса
Зависимости максимальной импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса
Зависимость максимального числа импульсов от импульсной рассеиваемой мощности