2А518А-4, 2А518Б-4

Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах дециметрового и сантиметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные с жесткими выводами на кристаллодержателе. Тип диода указывается ка таре.

Масса диода не более 0,4 г.

Электрические параметры

Критическая частота на низком уровне мощности при Рпд=30 мВт, f=2000 МГц, Iпр=100 мА, Uобр=100 В, не менее:
при 213 и 298 К
2А518А-4	130 ГГц
2А518Б-4	90 ГГц
при 373К	70 ГГц
Критическая частота на высоком уровне мощности при Рпд=15 кВт, Iпр=100 мА, Uобр=100 В, не менее:
2А518А-4	70 ГГц
2А518Б-4	50 ГГц
Прямое сопротивление потерь, на низком уровне мощности при Рпд=30 мВт, f=2000 МГц, Iпр=100 мА, не более:
при 213 и 298 К
2А518А-4	1 Ом
2А518Б-4	2 Ом
при 373 К
2А518А-4	1,5 Ом
2А518Б-4	2 Ом
Прямое сопротивление потерь на высоком уровне мощности при Рпд=15 кВт, Iпр=100 мА, не более:
2А518А-4	1 Ом
2А518Б-4	2 Ом
Общая емкость диода при Uобр=100 В, f=30 МГц	От 0,6 до 0,8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при Рпд=30 мВт, f=1500 МГц, Iпр=100 мА, Uобр=100 В, не более:
2А518А-4	6 мкс
2А518Б-4	2,5 мкс
Время установления прямого напряжения при Рпд=30 мВт, f=1500 МГц, Iпр=100 мА, Uобр=100 В, не более:
2А518А-4	2,5 мкс
2А518Б-4	1,0 мкс
Индуктивность диода	От 0,5 до 0,8 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К	200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К	500 мА
Импульсная падающая СВЧ мощность при τ_и≤8 мкс, f=100 Гц, W=50 Ом при температуре от 213 до 358 К	15 кВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 358 К	2 кВт
Температура окружающей среды	От 213 до 358 К
Температура перехода	398 К