2А522А-2

Диод кремниевый мезаэпитаксиальный. Предназначен для применения в ограничительных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусной с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип диода указывается на этикетке.

Масса диода не более 4 мг.

0

Электрические параметры

Дифференциальное сопротивление при Iпр=100 мА, не более 1,8 Ом
Общая емкость диода при Uобр=0 От 0,35 до 0,75 пФ
Прямое сопротивление потерь диода при низком значении СВЧ мощности, f=4,28 ГГц, не более:  
при 213 и 298 К 12 Ом
при 398 К 17 Ом
Постоянное обратное напряжение при Iобр=100 мкА, не более 70 В
Накопленный заряд при Iпр=50 мА, не более 10 нКл

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре основания диода:  
от 213 до 358 К 5 В
при 398 К 3 В
Постоянный прямой ток при температуре основания диода:  
от 213 до 358 К 100 мА
при 398 К 50 мА
Рассеиваемая мощность при температуре основания диода:  
от 213 до 308 К 0,3 Вт
при 398 К 0,08 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при τи≤1 мкс, f≤1 кГц и температуре основания диода:  
от 213 до 308 К 40 Вт
при 398 К 8 Вт
Температура окружающей среды От 213 до 398 К

1

Зависимость постоянного обратного напряжения от температуры основания диода.

2

Зависимость постоянного прямого тока от температуры основания диода.

3

Зависимость рассеиваемой мощности от температуры основания диода.

4

Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от температуры основания диода.

5

Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса.