2А522А-2
Диод кремниевый мезаэпитаксиальный. Предназначен для применения в ограничительных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусной с гибкими выводами на кристаллодержателе. Тип диода указывается на этикетке.
Масса диода не более 4 мг.
Электрические параметры
| Дифференциальное сопротивление при Iпр=100 мА, не более | 1,8 Ом |
| Общая емкость диода при Uобр=0 | От 0,35 до 0,75 пФ |
| Прямое сопротивление потерь диода при низком значении СВЧ мощности, f=4,28 ГГц, не более: | |
| при 213 и 298 К | 12 Ом |
| при 398 К | 17 Ом |
| Постоянное обратное напряжение при Iобр=100 мкА, не более | 70 В |
| Накопленный заряд при Iпр=50 мА, не более | 10 нКл |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное обратное напряжение при температуре основания диода: | |
| от 213 до 358 К | 5 В |
| при 398 К | 3 В |
| Постоянный прямой ток при температуре основания диода: | |
| от 213 до 358 К | 100 мА |
| при 398 К | 50 мА |
| Рассеиваемая мощность при температуре основания диода: | |
| от 213 до 308 К | 0,3 Вт |
| при 398 К | 0,08 Вт |
| Импульсная рассеиваемая мощность при τи≤1 мкс, f≤1 кГц и температуре основания диода: | |
| от 213 до 308 К | 40 Вт |
| при 398 К | 8 Вт |
| Температура окружающей среды | От 213 до 398 К |
Зависимость постоянного обратного напряжения от температуры основания диода.
Зависимость постоянного прямого тока от температуры основания диода.
Зависимость рассеиваемой мощности от температуры основания диода.
Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от температуры основания диода.
Зависимость импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса.