1.3.Условные обозначения электрических параметров

  • Uпр - постоянное прямое напряжение.
  • Uобр — постоянное обратное напряжение диода.
  • Uобр. макс — максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода.
  • Uпр. и — импульсное прямое напряжение диода.
  • Uобр. и — импульсное обратное напряжение диода.
  • Uобр. и. макс — максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода.
  • Uпр. ср — среднее прямое напряжение диода.
  • Uп — напряжение пика туннельного диода.
  • Uв — напряжение впадины туннельного диода.
  • Upp — напряжение раствора туннельного диода.
  • Uвп- выпрямленное диодом напряжение.
  • UвпТ выпрямленное диодом напряжение при температуре Т
  • Uпроб — пробивное напряжение
  • Uоткр.T — напряжение в открытом состоянии тиристора
  • Uy.от.T — постоянное отпирающее напряжение на управляющем электроде тиристора.
  • Uу.от.и.T — импульсное отпирающее напряжение на управляющем электроде тиристора.
  • Uу.неот.Т - неотпирающее напряжение па управляющем электроде тиристора.
  • Uнеот.и.Т - импульсное неотпирающее напряжение тиристора.
  • Uот.и.Т - импульсное отпирающее напряжение тиристора.
  • Uу.нз.и.Т — импульсное незапирающее напряжение на управляющем электроде тиристора.
  • Uу.нз.Т — незапирающее напряжение на управляющем электроде тиристора.
  • Uэкр.мин.Т - минимальное напряжение в закрытом состоянии тиристора.
  • Uпр.экр.макс.у — максимально допустимое постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии тиристора.
  • Uпр.экр.и.макс.Т - максимально допустимое импульсное прямое напряжение в закрытом состоянии тиристора.
  • Uобр.у.макс.Т — максимально допустимое постоянное обратное напряжение на управляющем электроде тиристора.
  • Uобр.у.и.макс.Т — максимально допустимое импульсное обратное напряжение на управляющем электроде тиристора.
  • |dUэкр/dt|кр - критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора.
  • |dUэкр/dt|макс — максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора.
  • UБ2, Б2 - напряжение между базами 1 и 2 двухбазового диода.
  • U — напряжение стабилизации.
  • Uст.ном. — номинальное напряжение стабилизации.
  • δUст — временная нестабильность напряжения стабилизации.
  • ΔU — температурный уход напряжения стабилизации.
  • U0вых U1вых — выходное напряжение логического нуля, единицы.
  • Iпр — постоянный прямой ток диода.
  • Iпр.макс — максимально допустимый постоянный прямой ток диода.
  • Iпр.и. — импульсный прямой ток диода.
  • Iпр.и.макс. — максимально допустимый импульсный прямой ток диода.
  • Iпр.ср. — средний прямой ток диода.
  • Iпр.ср.макс. — максимально допустимый средний прямой ток диода.
  • Iи.одн. — амплитуда импульса тока одноразовой перегрузки стабилитрона.
  • Iпр.и.одн. — амплитуда импульса прямого тока одноразовой перегрузки диода.
  • Iпр.пер. — постоянный перегрузочный прямой ток диода.
  • Iпр.и.пер. — импульсный перегрузочный прямой ток диода.
  • Iобр — постоянный обратный ток диода.
  • Iобр.макс. — максимально допустимый постоянный обратный ток диода.
  • Iобр.и.макс. - максимальный импульсный обратный ток диода.
  • Iобр.ср. — средний обратный ток диода.
  • Iобр.пер. — постоянный обратный перегрузочный ток диода.
  • Iотсч. — ток, при котором производится отсчет времени восстановления обратного сопротивления диода.
  • Iвп — выпрямленный ток диода.
  • Iвп.ср - средний выпрямленный ток диода
  • Iвп.ср. макс — максимально допустимый средний выпрямленный ток диода.
  • Iп — пиковый ток туннельного диода.
  • Iв — ток впадины туннельного диода.
  • Iп/Iв — отношение токов туннельного диода.
  • Iвкл.т — ток включения тиристора.
  • Iуд.т — удерживающий ток тиристора.
  • Iзкр.т — ток в закрытом состоянии тиристора.
  • Iу.oт.Т — постоянный отпирающий ток управляющего электрода тиристора.
  • Iу.от.и.Т - импульсный отпирающий ток управляющего электрода тиристора.
  • Iу.неот.Т - неотпирающий ток управляющего электрода тиристора.
  • Iу.з.Т - запирающий ток управляющего электрода тиристора.
  • Iу.з.и.Т — импульсный запирающий ток управляющего электрода тиристора.
  • Iу.нз.Т - незапирающий ток управляющего электрода тиристора.
  • Iоткр.Т - ток в открытом состоянии тиристора.
  • Iоткр.мин.Т - минимальный ток в открытом состоянии тиристора.
  • Iдин.Т — динамический ток включения тиристора.
  • Iоткр.ср.макс.Т — максимально допустимый средний ток в открытом состоянии тиристора.
  • Iоткр.макс.Т - максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии тиристора.
  • Iоткр.и.Т — импульсный ток в открытом состоянии тиристора.
  • Iоткр.и.макс.Т — максимально допустимый импульсный ток в открытом состоянии тиристора.
  • Iпр.у.макс.Т — максимально допустимый постоянный прямой ток управляющего электрода тиристора.
  • Iпр.у.и.макс.Т — максимально допустимый импульсный прямой ток управляющего электрода тиристора.
  • Iобр.у.макс.Т — максимально допустимый постоянный обратный ток управляющего электрода тиристора.
  • Iобр.у.и.макс.Т — максимально допустимый импульсный обратный ток управляющего электрода тиристора.
  • Iз.макс.Т — максимально допустимый постоянный запирающий ток тиристора.
  • |dlоткр./dt|макс — максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора.
  • Iвкл — ток включения двухбазового диода.
  • Iст.мин — минимально допустимый постоянный ток стабилизации.
  • Iст.макс — максимально допустимый постоянный ток стабилизации.
  • Iст.и.макс — максимально допустимый импульсный ток стабилизации.
  • Iмакс — максимально допустимый постоянный прямой ток стабилитрона.
  • qнк — накопленный заряд диода.
  • Q — заряд переключения диода.
  • Iвх.опт — входной ток оптопары.
  • I0вых — выходной ток нагрузки, втекающий для приборов с цифровым выходом.
  • I1вых — выходной ток нагрузки, вытекающий для приборов с цифровым выходом.
  • Iут.вых — ток утечки на выходе оптопары.
  • I0вхI1вх — входной ток логического нуля, единицы.
  • Рв — рассеиваемая мощность варикапа.
  • Рв.макс — максимально допустимая рассеиваемая мощность варикапа.
  • Рср.д — средняя рассеиваемая мощность диода.
  • Рср.д.макс — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность диода.
  • Рмакс — максимально допустимая рассеиваемая мощность диода.
  • Pрас.макс — максимально допустимая рассеиваемая мощность СВЧ диода.
  • Pи.макс — максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность диода.
  • Pи.рас.макс — максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода.
  • РТ — рассеиваемая мощность тиристора.
  • Рср.макс.Т — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность тиристора.
  • Ри.макс.Т — максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность тиристора.
  • Ру.ср.макс.Т — максимально допустимая средняя мощность на управляющем электроде тиристора.
  • Ру.и.макс.Т — максимально допустимая импульсная мощность на управляющем электроде тиристора.
  • Рпд.макс — максимально допустимая непрерывная падающая СВЧ мощность.
  • Рпд — падающая на диод СВЧ мощность.
  • Рвых.мин — минимальная выходная непрерывная СВЧ мощность.
  • P8 — мощность 8-й гармоники.
  • Р3 — мощность 3-й гармоники.
  • Рсвч.и.макс — максимально допустимая импульсная рассеиваемая СВЧ мощность.
  • Рсвч.макс — максимально допустимая непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность.
  • Рпд.и.макс — максимально допустимая импульсная падающая СВЧ мощность.
  • Ри.рас.макс — максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность.
  • tвос — время восстановления обратного сопротивления диода.
  • tycт — время установления прямого напряжения диода.
  • tпер — время переключения.
  • tнр.Т — время нарастания тиристора.
  • tвыкл.Т — время выключения тиристора.
  • tвкл.Т — время включения тиристора.
  • tзд.Т — время задержки тиристора.
  • tу.зд.Т — время задержки по управляющему электроду тиристора.
  • tу.вкл.T — время включения по управляющему электроду тиристора.
  • tу.выкл.Т — время выключения по управляющему электроду тиристора.
  • tзп.Т — время запаздывания тиристора.
  • tвых — время выхода стабилитрона на режим.
  • tн — время нарастания импульса (тока, напряжения).
  • tс — время спада импульса (тока, напряжения, излучения).
  • tз.вкл — время задержки распространения сигнала (включения).
  • tз.выкл — время задержки распространения сигнала (выключения).
  • τи — длительность импульса.
  • τперегр — длительность импульса перегрузки.
  • τфр — длительность фронта импульса.
  • τ1 — длительность отпирающего импульса.
  • τ2 — длительность запирающего импульса.
  • τу.и.Т — длительность импульса по управляющему электроду тиристора.
  • τф.у.Т — длительность фронта импульса по управляющему электроду тиристора.
  • τф1.у.Т — длительность фронта отпирающего импульса по управляющему электроду тиристора.
  • τ — постоянная времени
  • Rпер — отрицательное сопротивление перехода.
  • Rн — сопротивление нагрузки.
  • Rобр — обратное сопротивление диода.
  • Rт.кр - кор — тепловое сопротивление кристалл — корпус.
  • Rт — общее тепловое сопротивление.
  • Rш — сопротивление шунта между управляющим электродом и катодом тиристора.
  • Rсс.рр — сопротивление между сегментами или разрядами прибора с перекрестной коммутацией (сопротивления сегмент — сегмент, разряд — разряд).
  • Rстат — статическое сопротивление стабилитрона.
  • Rи — сопротивление изоляции (сопротивление гальванической развязки).
  • Rбб — межбазовое сопротивление.
  • gпер — отрицательная проводимость перехода.
  • rп — сопротивление потерь диода.
  • rпос — сопротивление нагрузки, включенное последовательно с диодом СВЧ.
  • rпр.д — прямое сопротивление диода по постоянному току.
  • rобр.д — обратное сопротивление диода по постоянному току.
  • rст — дифференциальное сопротивление стабилитрона.
  • rвых — выходное сопротивление СВЧ диода.
  • rш — шумовое сопротивление СВЧ диода.
  • rдиф — дифференциальное сопротивление диода.
  • Сд — общая емкость диода.
  • Собщ.Т — общая емкость тиристора.
  • Скорп — емкость корпуса диода.
  • С — полная емкость стабилитрона.
  • Спep — емкость перехода диода.
  • Сстр — емкость структуры.
  • Св — общая емкость варикапа.
  • Сн — номинальная емкость варикапа.
  • Lд — индуктивность диода.
  • Lв — последовательная индуктивность варикапа.
  • L — последовательная индуктивность стабилитрона.
  • В — яркость излучающего оптоэлектронного прибора.
  • f0 — резонансная частота туннельного диода.
  • fгр — граничная частота генератора шума.
  • f — рабочая частота диода.
  • fу — частота следования импульсов по управляющему электроду тиристора.
  • Iv — сила света излучающего оптоэлектронного полупроводникового прибора.
  • Iv — интенсивность излучения оптоэлектронкого прибора.
  • IG — сила излучения онiоэлектропного прибора.
  • Fнорм — нормированный коэффициент шума СВЧ диода.
  • Кш — шумовая постоянная туннельного диода.
  • Кпер, Iпр — коэффициент перегрузки диода но прямому току.
  • Кд — качество диода.
  • Книз — качество диода на низком уровне.
  • Кв — качество диода на высоком уровне.
  • Кст.U — коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода.
  • КС — коэффициент перекрытия по емкости варикапа.
  • К — относительный разброс яркости или силы света оптоэлектронного прибора.
  • Кi — коэффициент передачи тока.
  • Lз — потери запирания.
  • Lпр — потери пропускания.
  • Lпрб — потери преобразования смесительного диода.
  • Lпрб.Т — потери преобразования при температуре Т.
  • М — коэффициент качества детекторного диода.
  • МТ — коэффициент качества детекторного диода при температуре Т.
  • nш — шумовое отношение СВЧ диода.
  • Р — мощность излучения.
  • р — атмосферное давление.
  • Qв — добротность варикапа.
  • Q — добротность.
  • Sш,ст — спектральная плотность шума стабилитрона.
  • S — спектральная плотность напряжения генератора шума.
  • Т — температура окружающей среды.
  • Тмакс — максимальная температура окружающей среды.
  • Тмин — минимальная температура окружающей среды
  • Тк — температура корпуса.
  • Тп — температура перехода.
  • Тосн — температура кристаллодержателя.
  • W — волновое сопротивление.
  • α — угол излучения излучающего оптоэлектронного прибора.
  • αст — средний температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона.
  • αст.10 — средний температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона при токе 10 мА.
  • αС — температурный коэффициент емкости варикапа.
  • βI — чувствительность по току детекторного диода.
  • βIT — чувствительность по току детекторного диода при температуре Т.
  • λм — длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики излучения.
  • Аλ — ширина спектральной характеристики излучения (на уровне 0,5 максимального значения)

Звездочкой* отмечены параметры или их значения, приведенные в ТУ в разделах справочных данных. При производстве приборов они могут не контролироваться.

В тех случаях, когда у предельно допустимых эксплуатационных данных не указан интервал температур, эти данные гарантированы во всем интервале температур окружающей среды (корпуса).