1Д508А, ГД508А, ГД508Б
Диоды германиевые микросплавные.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более: | |
при Iпр=1 мА для 1Д508А | 0,4 В |
при Iпр=10 мА для 1Д508А при 343 К и ГД508А при 298 и 328 К | 0,7 В |
ГД508Б при 298 и 328 К | 0,65 В |
1Д508А при 213 К | 0,9 В |
Импульсное прямое напряжение для 1Д508А при Iпр.и=30 мА и ГД508А, ГД508Б при Iпр.и=12 мА, | 1,5 В |
Постоянный обратный ток при Uобр=8 В, не более: | |
1Д508А при 213 и 298 К и ГД508А при 298 К | 60 мкА |
ГД508Б при 298 К | 100 мкА |
1Д508А при 343 К и ГД508А при 328 К | 150 мкА |
ГД508Б при 328 К | 200 мкА |
1Д508А при Uобр=5 В | 20* мкА |
Заряд переключения при Iпр=10 мА, Uобр.и=5 В, не более | 20 пКл |
Общая емкость диода при Uобр=0,5 В, не более | 0,75 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное обратное напряжение | 8 В |
Импульсное обратное напряжение при τи≤5 мкс и скважности не менее 4 | 10 В |
Постоянный или средний прямой ток | 10 мА |
Импульсный прямой ток при τи≤10 мкс (без превышения среднего прямого тока) | 30 мА |
Температура окружающей среды: | |
1Д508А | От 213 до 343 К |
ГД508А, ГД508Б | От 233 до 328 К |
Температура перехода для 1Д508А | 343 К |
Зависимость обратного тока от температуры.
Зависимость общей емкости от напряжения.
Зависимость заряда переключения от прямого тока.