1А504А, 1А504Б, ГА504А, ГА504Б, ГА504В
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов волн.
Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветной точкой на керамической части корпуса: 1А504А, ГА504А - красной, 1А504Б, ГА504Б -черной, ГА504В - желтой. Схема соединения электродов с выводами приводится на керамической части корпуса.
Масса диода не более 1 г.
Электрические параметры
Потери пропускания при Iпр=50 мА, Рпд=1 мВт, λ= 3,9 см, не более: | |
1А504А | 0,5 дБ |
1А504Б | 0,8 дБ |
Качество диода при Iпр=50 мА, Uобр=50 В, Рпд=1 мВт, λ=3,9 см, не менее, при температуре: | |
от 213 до 298 К | |
1А504А, ГА504А | 500 |
1А504Б, ГА504Б | 200 |
ГА504В | 100 |
при 343 К | |
1А504А, ГА504А | 350 |
1А504Б, ГА504Б | 150 |
Общая емкость диода при Uобр=50 В: | |
1А504А, 1А504Б. ГА504А, ГА504Б | От 0,5 до 0,8 пФ |
ГА504В | От 0,45 до 1,0 пФ |
Постоянный обратный ток при Uобр=50 В, не более, при температуре: | |
от 213 до 298 К | 100 мкА |
при 343 К | 500 мкА |
Время переключения при Uобр=50 В, Рпд=2,5 Вт, λ=3,9 см, не более | 40 нс |
Емкость корпуса при Uобр=50 В | От 0,3 до 0,4 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса: | |
от 213 до 308 К | 0,5 Вт |
при 343 К | 0,3 Вт |
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение 1 мин при температуре корпуса от 213 до 358 К для 1А504А, 1А504Б | 0,6 Вт |
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре: | |
от 213 до 308 К | 2,5 Вт |
при 343 К | 1,5 Вт |
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 1 мин) и температуре от 213 до 343 К | 3,0 Вт |
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К | 50 В |
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К | 50 мА |
Температура окружающей среды | От 213 до 343 К |
Температура корпуса | 358 К |
Примечания:
- Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность связана с непрерывной СВЧ мощностью в линии передаче Рт соотношениями:
- в состоянии пропускания
- в состоянии запирания
- Lп — потери пропускания волноводного устройства с диодом, определяемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при номинальном Iпр;
- L3 — потери запирания волноводного устройства с диодом, определяемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при поминальном Uобр.
- Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от напряжения смещения (от нуля до максимально допустимого обратного напряжения).
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.