1А504А, 1А504Б, ГА504А, ГА504Б, ГА504В

Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов волн.

Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветной точкой на керамической части корпуса: 1А504А, ГА504А - красной, 1А504Б, ГА504Б -черной, ГА504В - желтой. Схема соединения электродов с выводами приводится на керамической части корпуса.

Масса диода не более 1 г.

0

Электрические параметры

Потери пропускания при Iпр=50 мА, Рпд=1 мВт, λ= 3,9 см, не более:  
1А504А 0,5 дБ
1А504Б 0,8 дБ
Качество диода при Iпр=50 мА, Uобр=50 В, Рпд=1 мВт, λ=3,9 см, не менее, при температуре:  
от 213 до 298 К  
1А504А, ГА504А 500
1А504Б, ГА504Б 200
ГА504В 100
при 343 К  
1А504А, ГА504А 350
1А504Б, ГА504Б 150
Общая емкость диода при Uобр=50 В:  
1А504А, 1А504Б. ГА504А, ГА504Б От 0,5 до 0,8 пФ
ГА504В От 0,45 до 1,0 пФ
Постоянный обратный ток при Uобр=50 В, не более, при температуре:  
от 213 до 298 К 100 мкА
при 343 К 500 мкА
Время переключения при Uобр=50 В, Рпд=2,5 Вт, λ=3,9 см, не более 40 нс
Емкость корпуса при Uобр=50 В От 0,3 до 0,4 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:  
от 213 до 308 К 0,5 Вт
при 343 К 0,3 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность в течение 1 мин при температуре корпуса от 213 до 358 К для 1А504А, 1А504Б 0,6 Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре:  
от 213 до 308 К 2,5 Вт
при 343 К 1,5 Вт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 1 мин) и температуре от 213 до 343 К 3,0 Вт
Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 343 К 50 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 343 К 50 мА
Температура окружающей среды От 213 до 343 К
Температура корпуса 358 К

Примечания:

  1. Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность связана с непрерывной СВЧ мощностью в линии передаче Рт соотношениями:
    • в состоянии пропускания 1
    • в состоянии запирания 2
    где
    • Lп — потери пропускания волноводного устройства с диодом, определяемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при номинальном Iпр;
    • L3 — потери запирания волноводного устройства с диодом, определяемые отношением падающей СВЧ мощности к прошедшей при поминальном Uобр.
  2. Общая емкость диода не зависит в диапазоне СВЧ от напряжения смещения (от нуля до максимально допустимого обратного напряжения).

3

Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.