1A401,1А401А, 1А401Б, 1А401В, ГА401, ГА401А, ГА401Б, ГА401В

0

Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях в диапазоне волн от 6 до 60 см.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами привозятся на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А401, ГА401 — четырьмя красными точками у отрицательного электрода, 1А401А, ГА401А — одной красной точкой, 1А401Б, ГА401Б — двумя красными точками, 1А401В, ГА401В - тремя красными точками.

Масса диода не более 0,7 г.

1

Электрические параметры

Постоянная времени при Uобр=10 В, f=2000+/-200 МГц, не более:  
1А401, ГА401 2,2 пс
1А401А, ГА401А 2,0 пс
1А401Б, ГА401Б 1,8 пс
1А401В, ГА401В 1,7 пс
Пробивное напряжение при Iобр=10...20 мкА, не менее:  
при 298 К 20 В
при 213 К 15 В
Постоянный обратный ток при Uобр=10 В, не более:  
при 298 К 0,5 мкА
при 343 К 4,0 мкА
Емкость перехода при Uобр=10 В, f≤30 МГц:  
1А401, ГА401 От 0,45 до 0,87 пФ
1А401А, ГА401А От 0,36 до 0,55 пФ
1А401Б, ГА401Б От 0,26 до 0,44 пФ
1А401В, ГА401В От 0,12 до 0,33 пФ
Емкость корпуса От 0,18 до 0,25 пФ
Индуктивность диода, не более 2 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре 200 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин) и температуре от 213 до 343 К 400 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при τи≤4 мкс. скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К 5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), τи≤4 мкс, скважности, большей или равной 1000, температуре от 213 до 343 К 10 Вт
Температура окружающей среды От 213 до 343 К

Примечания:

  1. Допускается применение диодов для умножения и деления частоты в режимах, не превышающих предельно допустимые. Длина волны в этом режиме может быть короче 3 см.
  2. Не разрешается подача обратного напряжения более 19 В и прямого тока более 30 мА.
  3. Емкость перехода остается неизменной при. температуре окружающей среды от 213 до 343 К.

2

Зависимость пробивного напряжения от температуры.

3

Зависимость емкости структуры от постоянного обратного напряжения.