2С801А, 2С802А, 2С802А1, 2С802Б, 2С802Б1

2С801А, 2С802А, 2С802А1, 2С802Б, 2С802Б1

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, ограничительные, несимметричные, большой мощности. Предназначены для защиты радиоэлектронной аппаратуры от перенапряжений, обусловленных переходными процессами, разрядами статического электричества или наведенных электромагнитными импульсами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Корпус в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом).

Масса диода не более 6 г.

0

Электрические параметры

Пробивное напряжение:  
2С801А при Iобр=40 мА:  
Т=+25°С 29,7...33*...36,3 В
Т=—60°С 26,9...36,3 В
Т=+125°С 29,7...40,3 В
2С802А при Iобр=70 мА:  
Т=+30°С 15,2...16*...16,8 В
Т=—60°С 14...16,8 В
Т=+125°С 15,2...18,2 В
2C802A1 при Iобр=70 мА:  
Т=+25°С 14,4...16*...17,6 В
Т=—60°С 13,2...17,5 В
Т=+125°С 14,4...19,3 В
2С802Б при Iобр=30 мА:  
Т=+30°С 34,2...36*...37,8 В
Т=-60°С 31...37,8 В
Т=+125°С 34,2...41,5 В
2С802Б1 при Iобр=30 мА:  
Т=+25°С 32,4...36*...39,6 В
Т=—60°С 29,3...39,6 В
Т=+125°С 32,4...43,9 В
Импульсное обратное напряжение:  
при Т=+25°С  
2С801А при Iобр.и=104 А 33*...37,2*...47 В
2С802А при Iобр.и=222 А 16,8*...17,5*...21 В
2С802А1 при Iобр.и=212 А 15,7*...17,5*...23,5 В
2С802Б при Iобр.и=100 А 37,6*...42*...46 В
2С802Б1 при Iобр.и=96 А 36*...42*...52 В
при Т=+125°С, не более:  
2С801А при Iобр.и=21 А 47 В
2С802А при Iобр.и=45 А 21 В
2C802A1 при Iобр.и=42 А 23,5 В
2С802Б при Iобр.и=20 А 46 В
2С802Б1 при Iобр.и=19А 52 В
Постоянное прямое напряжение:  
2С801А при Iпр=40 мА 0,7*...0,75*...0,8* В
2С802А, 2С802А1, 2С802Б, 2С802Б1 при Iпр=50 мА 0,7*...0.8*...1* В
Импульсное прямое напряжение при Iпр=100 А, tи=10 мс по основанию полусинусоиды:  
2С801А, не более 2* В
2С802А, 2С802А1 1,5*...2*...3,5* В
2С802Б, 2С802Б1 1,7*...2.4*...3,5* В
Температурный коэффициент пробивного напряжения:  
2С801А при Iобр=40 мА 0,075*...0,079*...0,098%/°С
2С802А, 2С802А1 при Iобр=70 мА 0,068*...0,071*...0,086%/°С
2С802Б, 2С802Б1 при Iобр=30 мА 0,079*...0,081*...0,099%/°С
Постоянный обратный ток:  
при Т=+25°С:  
2C801A при Uобр=26,8 В 0,017*...0,045*...5 мкА
2С802А при Uобр=13,6 В 0,018*...0,048*...5 мкА
2С802А1 при Uобр=12,9 В 0,018*...0,035*...5 мкА
2С802Б при Uобр=30,8 В 0,015*...0,070*...5мкА
2С802Б1 при Uобр=29,1 В 0,020*...0,070*...5 мкА
при Т=+125°С и Uобр=26,8 В для 2C80IA; Uобр=13,6 В для 2С802А; Uобр=12,9 В для 2С802А1; Uобр=30,8 В для 2С802Б; Uобр=29,1 В для 2С802Б1, не более 500 мкА
Емкость диода:  
2С801А 2300*...2500*...2800* пФ
2С802А, 2С802А1 7200*...7400*...7500* пФ
2С802Б, 2С802Б1 2290*...2350*...2400* пФ
Индуктивность диода 15* нГн
Расчетное время пробоя, не более 1* пс

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение:  
2С801А 26,8 В
2С802А 13,6 В
2С802А1 12,9 В
2С802Б 30,8 В
2С802Б1 29,1 В
Импульсный обратный ток1 при импульсе в виде убывающей экспоненты с tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104:  
при Т≤+35°С с теплоотводом:  
2С801А 104 А
2С802А 222 А
2C802A1 212 А
2С802Б 100 А
2С802Б1 96 А
при Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом:  
2С801А 21 А
2С802А 45 А
2С802А1 42 А
2С802Б 20 А.
2С802Б1 19 А
при Т=+125°С без теплоотвода:  
2С801А 6 А
2С802А 9 А
2С802А1 8 А
2С802Б, 2C802B1 4 А
 
2C801A 52 А
2С802А 111 А
2С802А1 106 А
2С802Б 50 А
2С802Б1 48 А
при Р=1,3*10-4 Па и Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом:  
2С801А 10,5 А
2С802А 22,5 А
2C802A1 21 А
2С802Б 10 А
2С802Б1 9,5 A
при Р=1,3*10-4 Па и Т=+125°С без теплоотвода:  
2С801А 3 А
2С802А 4,5 А
2С802А1 4 А
2С802Б, 2С802Б1 2 А
Импульсный прямой ток при tи=10мс по основанию полусинусоиды с теплоотводом 100 А
Постоянная обратная рассеиваемая мощность1:  
при Т≤+35°С с теплоотводом 10 Вт
при Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом 2 Вт
при Т=+125°С без теплоотвода 0,4 Вт
Импульсная неповторяющаяся обратная рассеиваемая мощность при импульсе в виде убывающей экспоненты с tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104  
при Т≤+35°С с теплоотводом 5 кВт
при Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом 1 кВт
при Т=+125°С без теплоотвода 200 Вт
при Р=1,3*10-4 Па и Т≤+35°С с теплоотводом 2,5 кВт
при Р=1,3*10-4 Па и Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом 500 Вт
при Р=1,3*10-4 Па и Т=+125°С без теплоотвода 100 Вт
Число импульсов с максимально допустимой импульсной неповторяющейся обратной рассеиваемой мощностью 500
Потенциал статического электричества 1 кВ
Тепловое сопротивление переход — среда 50*°С/Вт
Температура окружающей среды —60...+125°С
1 В интервале температур окружающей среды +35...+125°С допустимые значения импульсного обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Значения предельных эксплуатационных данных с применением теплоотвода приведены для случая Rт(п-с)=5°С/Вт (радиатор в виде алюминиевой пластины толщиной 3 мм, квадратной формы со стороной 100 мм).

При креплении диода к радиатору крутящий момент, воздействующий на вывод анода, не должен превышать 1,76 Н*м. Запрещается прилагать к катодному выводу усилие более 4,9 Н.

Температура корпуса при пайке катодного вывода не должна превышать +125°С, минимальное расстояние места пайки от корпуса 6 мм.

В схемах защиты от переходных процессов допускается использовать диоды при прямом токе, равном допустимому обратному току. Допускается последовательное и встречно-последовательное соединение диодов. Параллельное соединение разрешается при условиях, если ток каждого диода не превышает допустимых значений, а разница между ними по пробивному напряжению не превышает 50 мВ.

1

Зависимости емкости диода от напряжения

2

Зависимость максимальной рассеиваемой мощности от теплового сопротивления переход — среда

3

Зависимости максимальной импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса

4

Зависимость максимального числа импульсов от импульсной рассеиваемой мощности