2С801А, 2С802А, 2С802А1, 2С802Б, 2С802Б1

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, ограничительные, несимметричные, большой мощности. Предназначены для защиты радиоэлектронной аппаратуры от перенапряжений, обусловленных переходными процессами, разрядами статического электричества или наведенных электромагнитными импульсами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Корпус в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом).

Масса диода не более 6 г.

0

Электрические параметры

Пробивное напряжение:  
2С801А при Iобр=40 мА:  
Т=+25°С 29,7...33*...36,3 В
Т=—60°С 26,9...36,3 В
Т=+125°С 29,7...40,3 В
2С802А при Iобр=70 мА:  
Т=+30°С 15,2...16*...16,8 В
Т=—60°С 14...16,8 В
Т=+125°С 15,2...18,2 В
2C802A1 при Iобр=70 мА:  
Т=+25°С 14,4...16*...17,6 В
Т=—60°С 13,2...17,5 В
Т=+125°С 14,4...19,3 В
2С802Б при Iобр=30 мА:  
Т=+30°С 34,2...36*...37,8 В
Т=-60°С 31...37,8 В
Т=+125°С 34,2...41,5 В
2С802Б1 при Iобр=30 мА:  
Т=+25°С 32,4...36*...39,6 В
Т=—60°С 29,3...39,6 В
Т=+125°С 32,4...43,9 В
Импульсное обратное напряжение:  
при Т=+25°С  
2С801А при Iобр.и=104 А 33*...37,2*...47 В
2С802А при Iобр.и=222 А 16,8*...17,5*...21 В
2С802А1 при Iобр.и=212 А 15,7*...17,5*...23,5 В
2С802Б при Iобр.и=100 А 37,6*...42*...46 В
2С802Б1 при Iобр.и=96 А 36*...42*...52 В
при Т=+125°С, не более:  
2С801А при Iобр.и=21 А 47 В
2С802А при Iобр.и=45 А 21 В
2C802A1 при Iобр.и=42 А 23,5 В
2С802Б при Iобр.и=20 А 46 В
2С802Б1 при Iобр.и=19А 52 В
Постоянное прямое напряжение:  
2С801А при Iпр=40 мА 0,7*...0,75*...0,8* В
2С802А, 2С802А1, 2С802Б, 2С802Б1 при Iпр=50 мА 0,7*...0.8*...1* В
Импульсное прямое напряжение при Iпр=100 А, tи=10 мс по основанию полусинусоиды:  
2С801А, не более 2* В
2С802А, 2С802А1 1,5*...2*...3,5* В
2С802Б, 2С802Б1 1,7*...2.4*...3,5* В
Температурный коэффициент пробивного напряжения:  
2С801А при Iобр=40 мА 0,075*...0,079*...0,098%/°С
2С802А, 2С802А1 при Iобр=70 мА 0,068*...0,071*...0,086%/°С
2С802Б, 2С802Б1 при Iобр=30 мА 0,079*...0,081*...0,099%/°С
Постоянный обратный ток:  
при Т=+25°С:  
2C801A при Uобр=26,8 В 0,017*...0,045*...5 мкА
2С802А при Uобр=13,6 В 0,018*...0,048*...5 мкА
2С802А1 при Uобр=12,9 В 0,018*...0,035*...5 мкА
2С802Б при Uобр=30,8 В 0,015*...0,070*...5мкА
2С802Б1 при Uобр=29,1 В 0,020*...0,070*...5 мкА
при Т=+125°С и Uобр=26,8 В для 2C80IA; Uобр=13,6 В для 2С802А; Uобр=12,9 В для 2С802А1; Uобр=30,8 В для 2С802Б; Uобр=29,1 В для 2С802Б1, не более 500 мкА
Емкость диода:  
2С801А 2300*...2500*...2800* пФ
2С802А, 2С802А1 7200*...7400*...7500* пФ
2С802Б, 2С802Б1 2290*...2350*...2400* пФ
Индуктивность диода 15* нГн
Расчетное время пробоя, не более 1* пс

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение:  
2С801А 26,8 В
2С802А 13,6 В
2С802А1 12,9 В
2С802Б 30,8 В
2С802Б1 29,1 В
Импульсный обратный ток1 при импульсе в виде убывающей экспоненты с tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104:  
при Т≤+35°С с теплоотводом:  
2С801А 104 А
2С802А 222 А
2C802A1 212 А
2С802Б 100 А
2С802Б1 96 А
при Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом:  
2С801А 21 А
2С802А 45 А
2С802А1 42 А
2С802Б 20 А.
2С802Б1 19 А
при Т=+125°С без теплоотвода:  
2С801А 6 А
2С802А 9 А
2С802А1 8 А
2С802Б, 2C802B1 4 А
 
2C801A 52 А
2С802А 111 А
2С802А1 106 А
2С802Б 50 А
2С802Б1 48 А
при Р=1,3*10-4 Па и Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом:  
2С801А 10,5 А
2С802А 22,5 А
2C802A1 21 А
2С802Б 10 А
2С802Б1 9,5 A
при Р=1,3*10-4 Па и Т=+125°С без теплоотвода:  
2С801А 3 А
2С802А 4,5 А
2С802А1 4 А
2С802Б, 2С802Б1 2 А
Импульсный прямой ток при tи=10мс по основанию полусинусоиды с теплоотводом 100 А
Постоянная обратная рассеиваемая мощность1:  
при Т≤+35°С с теплоотводом 10 Вт
при Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом 2 Вт
при Т=+125°С без теплоотвода 0,4 Вт
Импульсная неповторяющаяся обратная рассеиваемая мощность при импульсе в виде убывающей экспоненты с tи(0,5)=1 мс, tф≤10 мкс и Q≥104  
при Т≤+35°С с теплоотводом 5 кВт
при Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом 1 кВт
при Т=+125°С без теплоотвода 200 Вт
при Р=1,3*10-4 Па и Т≤+35°С с теплоотводом 2,5 кВт
при Р=1,3*10-4 Па и Т≤+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом 500 Вт
при Р=1,3*10-4 Па и Т=+125°С без теплоотвода 100 Вт
Число импульсов с максимально допустимой импульсной неповторяющейся обратной рассеиваемой мощностью 500
Потенциал статического электричества 1 кВ
Тепловое сопротивление переход — среда 50*°С/Вт
Температура окружающей среды —60...+125°С
1 В интервале температур окружающей среды +35...+125°С допустимые значения импульсного обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Значения предельных эксплуатационных данных с применением теплоотвода приведены для случая Rт(п-с)=5°С/Вт (радиатор в виде алюминиевой пластины толщиной 3 мм, квадратной формы со стороной 100 мм).

При креплении диода к радиатору крутящий момент, воздействующий на вывод анода, не должен превышать 1,76 Н*м. Запрещается прилагать к катодному выводу усилие более 4,9 Н.

Температура корпуса при пайке катодного вывода не должна превышать +125°С, минимальное расстояние места пайки от корпуса 6 мм.

В схемах защиты от переходных процессов допускается использовать диоды при прямом токе, равном допустимому обратному току. Допускается последовательное и встречно-последовательное соединение диодов. Параллельное соединение разрешается при условиях, если ток каждого диода не превышает допустимых значений, а разница между ними по пробивному напряжению не превышает 50 мВ.

1

Зависимости емкости диода от напряжения

2

Зависимость максимальной рассеиваемой мощности от теплового сопротивления переход — среда

3

Зависимости максимальной импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса

4

Зависимость максимального числа импульсов от импульсной рассеиваемой мощности