3А111А, 3А111Б, АА111А, АА111Б

Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для работы в преобразователях частоты диапазона волн 3 см.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды выпускаются подобранными в пары: 3А111АР, АА111АР, 3А111БР, АА111БР — одной полярности, 3А111ААР, АА111ААР, 3А111ББР, АА111ББР — разной полярности. На корпусе диода с обратным включением ставится зеленая точка.

Масса диода не более 0,2 г.

Электрические параметры

Потери преобразования при Pпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более:
при 298 К
3А111А, АА111А	6 дБ
3А111Б, АА111Б	5,5 дБ
при 213 и 398 К
3А111А	7 дБ
3А111Б	6,5 дБ
Выпрямленный ток при Pпд=3 мВт, λ=3,2 см	От 1 до 2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Pпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более	1,5
Выходное сопротивление при Pпд=3 мВт, λ=3,2 см	От 300 до 560 Ом
Нормированный коэффициент шума при Pпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более:
3А111А, АА111А	7,5 дБ
3А111Б, АА111Б	7 дБ

Предельные эксплуатационные данные

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К	50 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин)	500 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при τи≤1 мкс, f≤1000 Гц и температуре от 213 до 358 К	550 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин), τи≤1 мкс, f≤1000 Гц	750 мВт
Непрерывная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 24 ч)	300 мВт
Температура окружающей среды	От 213 до 373 К