АА112А, АА112Б

Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в преобразователях на длине волны 3 см в герметизированной аппаратуре.

Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре. Диод АА112Б выпускается подобранным в пары: АА112БР.

Масса диода не более 0,035 г.

0

Электрические параметры

Потери преобразования при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более 6 дБ
Выпрямленный ток при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см От 1 до 2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более:  
АА112А 1,3
АА112Б 1,8
Коэффициент шума при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более 7 дБ
Выходное сопротивление при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см От 440 до 640 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К 300 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К 20 мВт
Температура окружающей среды От 213 до 373 К