АА112А, АА112Б
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в преобразователях на длине волны 3 см в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре. Диод АА112Б выпускается подобранным в пары: АА112БР.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
| Потери преобразования при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более | 6 дБ |
| Выпрямленный ток при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см | От 1 до 2,5 мА |
| Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более: | |
| АА112А | 1,3 |
| АА112Б | 1,8 |
| Коэффициент шума при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более | 7 дБ |
| Выходное сопротивление при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см | От 440 до 640 Ом |
Предельные эксплуатационные данные
| Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К | 300 мВт |
| Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К | 20 мВт |
| Температура окружающей среды | От 213 до 373 К |