1И308А, 1И308Б, 1И308В, 1И308Г, 1И308Д, 1И308Е, 1И308Ж, 1И308И, 1И308К

Диоды германиевые туннельные мезапланарные. Предназначены для работы в переключающих устройствах субнаносекундного диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются Цветным кодом: 1И308А - зеленой и черной точками, 1И308Б -зеленой и белой точками, 1И308В — красной и черной точками, 1И308Г — двумя красными точками, 1И308Д — красной и белой точками, 1И308Е — белой и черной точками, 1И308Ж — двумя белыми точками, 1И308И — голубой и черной точками, 1И308К — голубой и белой точками. Отрицательный вывод имеет больший диаметр.

Масса диода не более 0,1 г.

0

Электрические параметры

Пиковый ток:  
1И308А, 1И308Б От 4,5 до 5,5 мА
1И308В, 1И308Г, 1И308Д От 9,0 до 11 мА
1И308Е, 1И308Ж От 18 до 22 мА
1И308И, 1И308К От 45 до 55 мА
Отношение пикового тока к току впадины, не менее:  
при 298 К 5
при 213 и 343 К 4
Общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной характеристики при f=1...10 МГц:  
1И308А, 1И308Г От 1,5 до 5 пФ
1И308Б От 0,7 до 2 пФ
1И308В От 4,0 до 10 пФ
1И308Д От 0,8 до 2 пФ
1И308Е От 3,0 до 15 пФ
1И308Ж От 1,0 до 4 пФ
1И308И От 5,0 до 20 пФ
1И308К От 2,3 до 8 пФ
Напряжение пика*:  
1И308А От 70 до 100 мВ
1И308Б От 70 до 110 мВ
1И308В От 60 до 110 мВ
1И308Г От 60 до 120 мВ
1И308Д От 70 до 130 мВ
1И308Е От 80 до 140 мВ
1И308Ж От 85 до 160 мВ
1И308И От 100 до 150 мВ
1И308К От 100 до 180 мВ
Напряжение впадины* От 350 до 480 мВ
Напряжение раствора* От 510 до 630 мВ
Температурный коэффициент пикового тока* при температуре, не хуже:  
от 273 до 333 К —0,35 %/К
от 213 до 343 К -0,25 %/К
Температурный коэффициент тока впадины* при температуре от 213 до 343 К, не более 0,6 %/К
Температурный коэффициент напряжения раствора* От 0,5 до 1,5 мВ/К
Емкость корпуса* От 0,42 до 0,58 пФ
Индуктивность диода* От 0,2 до 0,35 нГн

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики при температуре:  
от 213 до 308 К  
1И308А, 1И308Д 6 мА
1И308Б 4 мА
1И308В, 1И308Е, 1И308К 20 мА
1И308Г 15 мА
1И308Ж 8 мА
1И308И 40 мА
при 343 К  
1И308А 2 мА
1И308В 7 мА
1И308Г 3 мА
1И308Е 6 мА
1И308И 15 мА
Импульсный прямой ток на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики при температуре от 213 до 308 К (при частоте следования импульсов не более 105 Гц):  
  τи=1 мкс 0,1 мкс 0,01 мкс 0,001 мкс
1И308А 12 20 30 50 мА
1И308Б 5 6 7 25 мА
1И308В 90 120 150 250 мА
1И308Г 30 45 60 100 мА
1И308Д 10 12 15 50 мА
1И308Е 40 60 90 250 мА
1И308Ж 18 20 30 100 мА
1И308И 75 120 180 300 мА
1И308К 45 60 90 150 мА
Температура окружающей среды От 213 до 343 К

Примечания:

  1. Значения постоянного и импульсного обратного тока в 1,5 раза больше соответствующих значений прямого тока.
  2. Диоды 1И308Б, 1И308Д при температуре от 333 до 343 К и 1И308Ж, 1И308К при температуре от 323 до 343 К в статическом режиме должны работать на первой восходящей ветви вольт-амперной характеристики.
  3. Величина прижимного усилия при креплении диода не должна превышать 20 Н.
  4. Не допускается проверка диодов тестером.

1

Вольт-амперные характеристики.

2

Обратная ветвь вольт-амперной характеристики (напряжение указано в милливольтах).

3

Зависимость пикового тока от температуры.

4

Зависимость прямого тока от температуры.