КС509А, КС509Б, КС509В
Стабилитроны кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 14,7...20 В в диапазоне токов стабилизации 0.5...42 мА. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Для обозначения типа и полярности используется условная маркировка цветным кодом — фоновая средняя полоса белого или серого цвета, голубая кольцевая полоса со стороны катодного вывода и цветная полоса со стороны анодного вывода: красная — для КС509А, желтая — для КС509Б, зеленая — для КС509В.
Масса стабилитрона не более 0,3 г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации: | |
КС509А при Iст=15 мА | 13,8...15,6 В |
КС509Б при Iст=15 мА | 16,8...19,1 В |
КС509В при Iст=10 мА | 18,8...21,2 В |
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: | |
КС509А | 0,05...0,09%°/С |
КС509Б, КС509В | 0,06...0,09%/°С |
Временная нестабильность напряжения стабилизации | -1,5...+1,5% |
Дифференциальное сопротивление, не более: | |
при Iст=0,5 мА: | &bsp; |
КС509А, КС509Б | 500 Ом |
КС509В | 600 Ом |
при Iст=10 мА для КС509В | 24 Ом |
при Iст=15 мА: | |
КС509А | 15 Ом |
КС509Б | 20 Ом |
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации | 0,5 мА |
Максимальный ток стабилизации1 | |
при Т=—45...+25°С: | |
КС509А | 42 мА |
КС509Б | 35 мА |
КС509В | 31 мА |
при Т=+85°С: | |
КС509А | 25 мА |
КС509Б | 21 мА |
КС509В | 19 мА |
Рассеиваемая мощность1 | |
при температуре вывода не свыше +30°С на расстоянии не более 4 мм от корпуса и Т=—45...+25°С | 1,3 Вт |
без ограничения расстояния от корпуса до теплоотвода на выводах: | |
при Т=—45...+25°С | 750 мВт |
при Т=+85°С | 450 мВт |
Потенциал статического электричества | 1 кВ |
Температура окружающей среды | —45...+85°С |
1 В интервале температур окружающей среды +25...+85°С допустимые значения максимального тока стабилизации и рассеиваемой мощности снижаются линейно.
Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса с радиусом закругления не менее 2 мм.
Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса и выводов на удалении до 3 мм от корпуса при пайке не должна превышать +85°С.
Допускается последовательное или параллельное соединение любого числа стабилитронов.