2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В, КА510Г, КА510Д, КА510Е
Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в устройствах ограничения и стабилизации мощности, защиты входных цепей приемников в сантиметровом и дециметровом диапазонах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветными точками: 2А510А, КА510А — одной черной точкой, 2А510Б, КА510Б — зеленой, 2А510В, КА510В — желтой, КА510Г — черной и зеленой, КА510Д — черной и желтой, КА510Е — зеленой и желтой.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
| Сопротивление диода при высоком значении СВЧ мощности и Iпр=100 мА, не более: | |
| 2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В | 1,5 Ом |
| КА510Г, КА510Д, КА510Е | 2,5 Ом |
| Сопротивление диода при низком значении СВЧ мощности Рпд=1 мВт, f=4,5*103 МГц, не более: | |
| при 213 и 298 К | |
| 2А510А, КА510А | 15 Ом |
| 2А510Б, КА510Б | 9 Ом |
| 2А510В, КА510В | 5 Ом |
| при 398 К | |
| 2А510А, КА510А | 25 Ом |
| 2А510Б, КА510Б | 15 Ом |
| 2А510В, КА510В | 8 Ом |
| Общая емкость диода при нулевом смещении: | |
| 2А510А, КА510А | От 0,7 до 1,4 пФ |
| 2А510Б, КА510Б, КА510Д | От 1,2 до 2,4 пФ |
| 2А510В, КА510В | От 2,2 до 3,4 пФ |
| КА510Г | От 0,6 до 1,4 пФ |
| КА510Е | От 2,2 до 3,6 пФ |
| Накопленный заряд в режиме переключения с Iпр=100 мА на Uобр.и=20 В, не более | 10 пКл |
| Пробивное напряжение, не менее | 30 В |
| Индуктивность диода* | От 0,6 до 0,8 нГн |
| Емкость корпуса* | От 0,25 до 0,3 пФ |
| Время установления*, не более | 1 нс |
| Время восстановления*, не более | 230 нс |
Предельные эксплуатационные данные
| Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса: | |
| от 213 до 323 К | 1 Вт |
| при 398 К | 0,25 Вт |
| Рассеиваемая импульсная СВЧ мощность при τи=1 мкс, f=1 кГц и температуре от 213 до 308 К | 40 Вт |
| Постоянное обратной напряжение при температуре от 213 до 398 К | 25 В |
| Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К | 200 мА |
| Температура окружающей среды | От 213 до 398 К |
| Температура перехода | 423 К |
Зависимость импульсной падающей СВЧ мощности от температуры корпуса в двухрезонаторной камере на f=1 ГГц (f1=100 Гц, f2=1000 Гц, f3=10000 Гц, W=75 Ом).
Зависимость непрерывной падающей СВЧ мощности от температуры корпуса.
Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.
Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.