2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В, КА510Г, КА510Д, КА510Е

Диоды кремниевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в устройствах ограничения и стабилизации мощности, защиты входных цепей приемников в сантиметровом и дециметровом диапазонах.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветными точками: 2А510А, КА510А — одной черной точкой, 2А510Б, КА510Б — зеленой, 2А510В, КА510В — желтой, КА510Г — черной и зеленой, КА510Д — черной и желтой, КА510Е — зеленой и желтой.

Масса диода не более 0,15 г.

0

Электрические параметры

Сопротивление диода при высоком значении СВЧ мощности и Iпр=100 мА, не более:  
2А510А, 2А510Б, 2А510В, КА510А, КА510Б, КА510В 1,5 Ом
КА510Г, КА510Д, КА510Е 2,5 Ом
Сопротивление диода при низком значении СВЧ мощности Рпд=1 мВт, f=4,5*103 МГц, не более:  
при 213 и 298 К  
2А510А, КА510А 15 Ом
2А510Б, КА510Б 9 Ом
2А510В, КА510В 5 Ом
при 398 К  
2А510А, КА510А 25 Ом
2А510Б, КА510Б 15 Ом
2А510В, КА510В 8 Ом
Общая емкость диода при нулевом смещении:  
2А510А, КА510А От 0,7 до 1,4 пФ
2А510Б, КА510Б, КА510Д От 1,2 до 2,4 пФ
2А510В, КА510В От 2,2 до 3,4 пФ
КА510Г От 0,6 до 1,4 пФ
КА510Е От 2,2 до 3,6 пФ
Накопленный заряд в режиме переключения с Iпр=100 мА на Uобр.и=20 В, не более 10 пКл
Пробивное напряжение, не менее 30 В
Индуктивность диода* От 0,6 до 0,8 нГн
Емкость корпуса* От 0,25 до 0,3 пФ
Время установления*, не более 1 нс
Время восстановления*, не более 230 нс

Предельные эксплуатационные данные

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре корпуса:  
от 213 до 323 К 1 Вт
при 398 К 0,25 Вт
Рассеиваемая импульсная СВЧ мощность при τи=1 мкс, f=1 кГц и температуре от 213 до 308 К 40 Вт
Постоянное обратной напряжение при температуре от 213 до 398 К 25 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К 200 мА
Температура окружающей среды От 213 до 398 К
Температура перехода 423 К

1

Зависимость импульсной падающей СВЧ мощности от температуры корпуса в двухрезонаторной камере на f=1 ГГц (f1=100 Гц, f2=1000 Гц, f3=10000 Гц, W=75 Ом).

2

Зависимость непрерывной падающей СВЧ мощности от температуры корпуса.

3

Зависимость непрерывной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.

4

Зависимость импульсной рассеиваемой СВЧ мощности от температуры корпуса.