1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Г, 1А501Д, 1A501E, 1А501Ж, 1А501И, ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е, ГА501Ж, ГА501И

1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Г, 1А501Д, 1A501E, 1А501Ж, 1А501И, ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е, ГА501Ж, ГА501И

0

Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для применения в переключающих устройствах в диапазоне волн 3 см.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А501А, ГА501А — одной точкой у положительного вывода, 1А501Б, ГА501Б — двумя точками, 1А501В, ГА501В — тремя точками, 1А501Г, ГА501Г — одной полоской, 1А501Д. ГА501Д — двумя полосками, 1A501E, ГА501Е — тремя полосками, 1А501Ж, ГА501Ж — одной полоской и одной точкой, 1А501И, ГА501И — одной полоской и двумя точками.

Масса диода не более 0,6 г.

1

Электрические параметры

Потери пропускания при Iпр=20 мА, Рпд=1 мВт, λ=3,2 см (1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Ж, 1А501И, ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Ж, ГА501И) и при λ=3,9 см (1А501Г, 1А501Д, 1A501E, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е), не более 0,8 дБ
Качество диода при Uобр=12...18 В для 1А501А, 1А501Г, ГА501А, ГА501Г, при Uобр=8...13 В для 1А501Б, 1А501Д, ГА501Б, ГА501Д, при Uобр=4...9 В для 1А501В, 1A501E, ГА501В, ГА501Е, при Uобр=2,2...4,2 В для 1А501Ж, ГА501Ж, при Uобр=0,5...2,5 В для 1А501И, ГА501И, при Рпд=1 мВт и λ=3,2 см для 1А501А, 1А501Б, 1А501В, 1А501Ж, 1А501И, ГА501А, ГА501Б, ГА501В, ГА501Ж, ГА501И, λ=3,9 см для 1А501Г, 1А501Д, 1A501E, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е, не менее 150
Емкость корпуса От 0,12 до 0,18 пФ
Постоянный обратный ток при Uобр=10 В, не более:  
при 298 К 0,5 мкА
при 343 К 3,0 мкА
Пробивное напряжение, не менее 19 В

Предельные эксплуатационные данные

Импульсная падающая СВЧ мощность при скважности, большей или равной 1000, τи≤2 мкс и температуре от 213 до 343 К 2,5 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при воздействии не более 5 мин, скважности, большей или равной 1000, τи≤2 мкс и температуре от 213 до 343 К 5,0 Вт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 343 К:  
1А501А, 1А501Б. 1А501Г, 1А501Д, 1A501E, ГА501А, ГА501Б, ГА501Г, ГА501Д, ГА501Е 100 мВт
1А501В, ГА501В 50 мВт
1А501Ж, 1А501И, ГА501Ж, ГА501И 1 мВт
Непрерывная падающая СВЧ мощность при Iпр=10...30 мА и температуре от 213 до 343 К 1 Вт
Мощность просачивающегося импульса при температуре от 213 до 343 К 450 мВт
Энергия просачивающегося импульса при температуре от 213 до 343 К 0,5*10-7 Дж
Импульсная падающая СВЧ мощность в течение 50 ч при Т≤343 К, τи≤0,15 мкс, скважности, большей или равной 3000 50 Вт
Температура окружающей среды От 213 до 343 К

Примечания:

  1. Допускается применение диодов в коммутационных устройствах при длинах волн более 3 см.
  2. Не разрешается подача обратною напряжения более 18 В и прямого тока более 30 мА для 1А501А, 1А501Б, 1А501Г, 1А501Д, 1A501E и 20 мА для 1А501В, 1А501Ж, 1А501И.

2

Зависимость потерь запирания от температуры.