2Д912А-3, 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912А-3, КД912Б-3, КД912В-3

Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых планарных диодов с общим анодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в схемах диодно-транзисторной логики (в формирователях, ограничителях, детекторах сигналов, модуляторах и демодуляторах, шифраторах и дешифраторах). Бескорпусные, с жесткими выводами, без кристаллодержателя. Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары. Общий вывод (анод) имеет больший диаметр.

Масса матрицы не более 10 мг.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение:
при Iпр=50 мкА:
при Т=+25°С:
2Д912А-3	0,5...0,55...0,6 В
КД912А-3, не менее	0,5 В
2Д912Б-3, КД912Б-3, не менее	0,62 В
2Д912В-3, КД912В-3, не менее	0,55 В
при Т=+85°С, не менее:
2Д912А-3, КД912А-3	0,35 В
2Д912Б-3, КД912Б-3	0,47 В
2Д912В-3, КД912В-3	0,4 В
при Iпр=1 мА:
при Т=+25°С:
2Д912А-3	0,7...0,74...0,8 В
КД912А-3, не более	0,8 В
2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3, не более	0,85 В
при Т=—60°С, не более:
2Д912А-3, КД912А-3	1,1 В
2Д912Б-3, КД912В-3, КД912Б-3, КД912В-3	1,15 В
Постоянный обратный ток при Uобр=5 В, не более:
при Т=+25°С	0,2 мкА
при Т=+85°С	5 мкА
при Т=—60°С для 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3	0,5 мкА
Время обратного восстановления при Uобр.и=5 В, Iпр.и=2 мА и Iобр=2 мА:
2Д912А-3, КД912А-3, не более	5 нс
2Д912Б-3	30...70...140 нс
КД912Б-3, не менее	30 нс
2Д912В-3	80...100...180 нс
КД912В-3, не менее	80 нс
Общая емкость при Uобр=0,1 В и f=1...10 МГц, не более:
2Д912А-3, КД912А-3	1,8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение	5 В
Постоянный (средний) прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы):
при Т=—60...+55°С	3,5 мА
при Т=+85°С*	2 мА
Импульсный прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы):
при Т=—60...+55 °С	10 мА
при Т=+85°С*	5 мА
Температура окружающей среды	—60...+85°С

* В интервале температур +55...+85°С ток снижается линейно.

При распайке матриц на микроплаты допускается воздействие иа них температуры +300°С (2Д912А-3, КД912А-3) и +400°С (2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3) не более 5 с.

При эксплуатации диодных матриц должно быть обеспечено тепловое сопротивление переход — среда не более 3 С/вВт.