2Д912А-3, 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912А-3, КД912Б-3, КД912В-3

Диодные матрицы, состоящие из трех кремниевых планарных диодов с общим анодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в схемах диодно-транзисторной логики (в формирователях, ограничителях, детекторах сигналов, модуляторах и демодуляторах, шифраторах и дешифраторах). Бескорпусные, с жесткими выводами, без кристаллодержателя. Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары. Общий вывод (анод) имеет больший диаметр.

Масса матрицы не более 10 мг.

0

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение:  
при Iпр=50 мкА:  
при Т=+25°С:  
2Д912А-3 0,5...0,55*...0,6* В
КД912А-3, не менее 0,5 В
2Д912Б-3, КД912Б-3, не менее 0,62 В
2Д912В-3, КД912В-3, не менее 0,55 В
при Т=+85°С, не менее:  
2Д912А-3, КД912А-3 0,35 В
2Д912Б-3, КД912Б-3 0,47 В
2Д912В-3, КД912В-3 0,4 В
при Iпр=1 мА:  
при Т=+25°С:  
2Д912А-3 0,7*...0,74*...0,8 В
КД912А-3, не более 0,8 В
2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3, не более 0,85 В
при Т=—60°С, не более:  
2Д912А-3, КД912А-3 1,1 В
2Д912Б-3, КД912В-3, КД912Б-3, КД912В-3 1,15 В
Постоянный обратный ток при Uобр=5 В, не более:  
при Т=+25°С 0,2 мкА
при Т=+85°С 5 мкА
при Т=—60°С для 2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3 0,5 мкА
Время обратного восстановления при Uобр.и=5 В, Iпр.и=2 мА и Iобр=2 мА:  
2Д912А-3, КД912А-3, не более 5 нс
2Д912Б-3 30...70*...140* нс
КД912Б-3, не менее 30 нс
2Д912В-3 80...100*...180* нс
КД912В-3, не менее 80 нс
Общая емкость при Uобр=0,1 В и f=1...10 МГц, не более:  
2Д912А-3, КД912А-3 1,8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение 5 В
Постоянный (средний) прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы):  
при Т=—60...+55°С 3,5 мА
при Т=+85°С* 2 мА
Импульсный прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы):  
при Т=—60...+55 °С 10 мА
при Т=+85°С* 5 мА
Температура окружающей среды —60...+85°С
* В интервале температур +55...+85°С ток снижается линейно.

При распайке матриц на микроплаты допускается воздействие иа них температуры +300°С (2Д912А-3, КД912А-3) и +400°С (2Д912Б-3, 2Д912В-3, КД912Б-3, КД912В-3) не более 5 с.

При эксплуатации диодных матриц должно быть обеспечено тепловое сопротивление переход — среда не более 3 С/вВт.

1

Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока

2

Зависимость общей емкости от напряжения

3

Зависимости времени обратного восстановления от напряжения

4

Зависимости времени обратного восстановления от напряжения

5

Зависимости времени обратного восстановления от напряжения

6

Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса

7

Зависимость допустимого импульсного прямого тока от температуры

8

Зависимость допустимого прямого тока от температуры