3А527А, 3А527Б

Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в импульсных схемах пико- и наносекундного диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода: 3А527А — желтой. 3А527Б — двумя желтыми.

Масса диода не более 0,5 г.

0

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при Iпр=2 мА, не более:  
при 298 и 358 К  
3А527А 1,0 В
3А527Б 1,1 В
при 213 К  
3А527А 1,3 B
3А527Б 1,4 B
Постоянный обратный ток при Uобр=9 В, не более:  
при 213 и 298 К 2,0 мкА
при 358 К 20 мкА
Общая емкость диода при Uобр=0, не более:  
3А527А 0,5 пФ
3А527Б 0,3 пФ
Дифференциальное сопротивление при Iпр=2 мА. не более 100* Ом
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, не более 100* пс

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 9 В
Импульсный прямой ток при τи≤10 мкс и частоте не более 1 кГц при температуре:  
от 213 до 308 К 30 мА
при 358 К 15 мА
Средний прямой ток при температуре:  
от 213 до 308 К 2 мА
при 358 К 1 мА
Импульсная рассеиваемая мощность при τи≤1 мкс и скважности, равной или более 1000, при температуре от 213 до 358 К 0,5 мВт
Температура окружающей среды От 213 до 358 К

Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.

1

Зависимость общей емкости от напряжения.

2

Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока.

3

Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса.

4

Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры.