3А527А, 3А527Б
Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в импульсных схемах пико- и наносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Диоды маркируются цветной точкой у положительного вывода: 3А527А — желтой. 3А527Б — двумя желтыми.
Масса диода не более 0,5 г.
Электрические параметры
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=2 мА, не более: | |
| при 298 и 358 К | |
| 3А527А | 1,0 В |
| 3А527Б | 1,1 В |
| при 213 К | |
| 3А527А | 1,3 B |
| 3А527Б | 1,4 B |
| Постоянный обратный ток при Uобр=9 В, не более: | |
| при 213 и 298 К | 2,0 мкА |
| при 358 К | 20 мкА |
| Общая емкость диода при Uобр=0, не более: | |
| 3А527А | 0,5 пФ |
| 3А527Б | 0,3 пФ |
| Дифференциальное сопротивление при Iпр=2 мА. не более | 100* Ом |
| Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, не более | 100* пс |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К | 9 В |
| Импульсный прямой ток при τи≤10 мкс и частоте не более 1 кГц при температуре: | |
| от 213 до 308 К | 30 мА |
| при 358 К | 15 мА |
| Средний прямой ток при температуре: | |
| от 213 до 308 К | 2 мА |
| при 358 К | 1 мА |
| Импульсная рассеиваемая мощность при τи≤1 мкс и скважности, равной или более 1000, при температуре от 213 до 358 К | 0,5 мВт |
| Температура окружающей среды | От 213 до 358 К |
Примечание. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.
Зависимость общей емкости от напряжения.
Зависимость дифференциального сопротивления от прямого тока.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса.
Зависимость максимально допустимого среднего и импульсного прямых токов от температуры.