2Д910А-1, 2Д910Б-1, 2Д910В-1, КД910А-1, КД910Б-1, КД910В-1

Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д910А-1, КД910А-1), двух (2Д910Б-1, КД910Б-1), трех (2Д910В-1, КД910В-1) кремниевых планарных диодов с общим анодом Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в схемах диодно-транзисторной логики (в формирователях, ограничителях, детекторах сигналов, модуляторах и демодуляторах, шифраторах и дешифраторах). Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя. Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары. Матрицы маркируются на индивидуальной таре цветным кодом: 2Д910А-1, КД910А-1 —одной красной точкой; 2Д910Б-1, КД910Б-1 — двумя красными точками; 2Д910В-1, КД910В-1 — тремя красными точками.

0

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение:  
при Iпр=0,05 мА, не менее:  
при Т=+25°С 0,5 В
типовое значение 0,57* В
при Т=+85°С 0,34 В
при Iпр=1 мА:  
при Т=+25°С, не более 0,8 В
типовое значение 0,77* В
при Т=—60°С, не более 1,1 В
Постоянный обратный ток при Uобр=5 В, не более:  
при Т=+25°С, не более 0,5 мкА
типовое значение 0,02* мкА
при Т=+85°С, не более 10 мкА
Время обратного восстановления при Iпр.и=5 мА, Uобр.и=5 В, Iобр=2 мА, Q≥100, не более 5 нс
Общая емкость при Uобр=0,1 В и f=1...10 МГц, не более 1,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Импульсное обратное напряжение 5 В
Импульсный прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы):  
при Т=-60...+55°С 10 мА
при Т=+85°С* 5 мА
Температура окружающей среды —60...+85°С
* В интервале температур +55...+85°С ток снижается линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 0,3 мм от защитного покрытия.

Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 2 и не далее 7 мм от защитного покрытия. Нагрев кристалла и защитного покрытия не должен превышать +85°С.

При включении матрицы в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоединяться первым и отключаться последним.

Защитное покрытие изготовлено из эмали ЭП-91.

1

Зона возможных положений зависимости заряда переключения от тока

2

Зона возможных положений зависимости заряда переключения от напряжения

3

Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса

4

Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока

5

Зависимость общей емкости диода от напряжения

6

Зависимость допустимого импульсного прямого тока от температуры