2Д910А-1, 2Д910Б-1, 2Д910В-1, КД910А-1, КД910Б-1, КД910В-1

Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д910А-1, КД910А-1), двух (2Д910Б-1, КД910Б-1), трех (2Д910В-1, КД910В-1) кремниевых планарных диодов с общим анодом Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в схемах диодно-транзисторной логики (в формирователях, ограничителях, детекторах сигналов, модуляторах и демодуляторах, шифраторах и дешифраторах). Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя. Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары. Матрицы маркируются на индивидуальной таре цветным кодом: 2Д910А-1, КД910А-1 —одной красной точкой; 2Д910Б-1, КД910Б-1 — двумя красными точками; 2Д910В-1, КД910В-1 — тремя красными точками.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение:
при Iпр=0,05 мА, не менее:
при Т=+25°С	0,5 В
типовое значение	0,57* В
при Т=+85°С	0,34 В
при Iпр=1 мА:
при Т=+25°С, не более	0,8 В
типовое значение	0,77* В
при Т=—60°С, не более	1,1 В
Постоянный обратный ток при Uобр=5 В, не более:
при Т=+25°С, не более	0,5 мкА
типовое значение	0,02* мкА
при Т=+85°С, не более	10 мкА
Время обратного восстановления при Iпр.и=5 мА, Uобр.и=5 В, Iобр=2 мА, Q≥100, не более	5 нс
Общая емкость при Uобр=0,1 В и f=1...10 МГц, не более	1,5 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Импульсное обратное напряжение	5 В
Импульсный прямой ток (суммарный ток всех диодов матрицы):
при Т=-60...+55°С	10 мА
при Т=+85°С*	5 мА
Температура окружающей среды	—60...+85°С

* В интервале температур +55...+85°С ток снижается линейно.

Изгиб выводов допускается не ближе 0,3 мм от защитного покрытия.

Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 2 и не далее 7 мм от защитного покрытия. Нагрев кристалла и защитного покрытия не должен превышать +85°С.

При включении матрицы в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоединяться первым и отключаться последним.

Защитное покрытие изготовлено из эмали ЭП-91.