2А523А-4, 2А523Б-4

Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные с жесткими выводами на кристаллодержателе с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А523А-4 маркируется одной черной точкой у положительного электрода, 2А523Б-4 — двумя черными точками.

Масса диода не более 0,15 г.

0

Электрические параметры

Критическая частота при Рпд≤30 мВт, λ=10 см, Iпр=50 мА, Uобр=10 В, не менее:  
при 298 К 200 ГГц
при 213 и 398 К 170 ГГц
Прямое сопротивление потерь при Рпд≤30 мВт, λ=10 см, Iпр=50 мА, не более 0,5 Ом
Общая емкость диода при Uобр=100 В, f=10...30 МГц:  
2А523А-4 От 0,9 до 1,5 пФ
2А523Б-4 От 1,0 до 2,0 пФ
Накопленный заряд при Iпр=50 мА, Uобр=100 В, не более 220 нКл
Пробивное напряжение при Iобр=30 мкА, не менее:  
2А523А-4 500 В
2А523Б-4 600 В
Тепловое сопротивление 4,5 К/Вт

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К 200 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К 300 мА
Рассеиваемая мощность при температуре на держателе диода:  
от 213 до 298 К 20 Вт
при 398 К 7 Вт
Импульсная рассеиваемая мощность при τи=300 мкс, скважности 5 и температуре на держателе диода 298 К 100 Вт
Температура окружающей среды От 213 до 398 К

1

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.

2

Зависимость обратного сопротивления потерь в параллельной схеме от постоянного обратного напряжения.

3

Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.

4

Зависимость теплового сопротивления от длительности импульса.

5

Зависимость рассеиваемой мощности от температуры.