2А523А-4, 2А523Б-4
Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для работы в переключающих устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с жесткими выводами на кристаллодержателе с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А523А-4 маркируется одной черной точкой у положительного электрода, 2А523Б-4 — двумя черными точками.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические параметры
| Критическая частота при Рпд≤30 мВт, λ=10 см, Iпр=50 мА, Uобр=10 В, не менее: | |
| при 298 К | 200 ГГц |
| при 213 и 398 К | 170 ГГц |
| Прямое сопротивление потерь при Рпд≤30 мВт, λ=10 см, Iпр=50 мА, не более | 0,5 Ом |
| Общая емкость диода при Uобр=100 В, f=10...30 МГц: | |
| 2А523А-4 | От 0,9 до 1,5 пФ |
| 2А523Б-4 | От 1,0 до 2,0 пФ |
| Накопленный заряд при Iпр=50 мА, Uобр=100 В, не более | 220 нКл |
| Пробивное напряжение при Iобр=30 мкА, не менее: | |
| 2А523А-4 | 500 В |
| 2А523Б-4 | 600 В |
| Тепловое сопротивление | 4,5 К/Вт |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К | 200 В |
| Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К | 300 мА |
| Рассеиваемая мощность при температуре на держателе диода: | |
| от 213 до 298 К | 20 Вт |
| при 398 К | 7 Вт |
| Импульсная рассеиваемая мощность при τи=300 мкс, скважности 5 и температуре на держателе диода 298 К | 100 Вт |
| Температура окружающей среды | От 213 до 398 К |
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.
Зависимость обратного сопротивления потерь в параллельной схеме от постоянного обратного напряжения.
Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.
Зависимость теплового сопротивления от длительности импульса.
Зависимость рассеиваемой мощности от температуры.