1Д507А, ГД507А

Диоды германиевые микросплавные.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,2 г.

Постоянное прямое напряжение при Iпр=5 мА, не более
1Д507А при 298 и 343 К и ГД507А при 298 и 313 К	0,5 В
1Д507А при 213 К и ГД507А при 233 К	0,7 В
1Д507А при Iпр=20 мА и 298 К	0,8 В
Импульсное прямое напряжение при Iпр.и=50 мА, не более:
1Д507А	3,5 В
ГД507А	4,0 В
Постоянный обратный ток при Uобр=20 В, не более:
1Д507А при 213 и 298 К и ГД507А при 298 К	50 мкА
1Д507А при 343 К	300 мкА
Общая емкость диода при Uобр=5 В, не более	0,8 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при Iпр.и=10 мА, Uобр.и=20 В, Iотсч=1 мА, не более	0,1 мкс

Постоянное или импульсное обратное напряжение	20 В
Импульсное обратное напряжение при скважности не менее 4 для 1Д507А при τ_и≤5 мкс и ГД507А при τ_и≤2 мкс	30 В
Постоянный или средний прямой ток	16 мА
Постоянный или средний прямой ток при снижении обратного напряжения до 12 В	35 мА
Импульсный прямой ток (без превышения среднего прямого тока):
ГД507А при τ_и≤1 мкс	200 мА
ГД507А при τ_и≤10 мкс	100 мА
Температуры окружающей среды:
1Д507А	От 213 до 343 К
ГД507А	От 233 до 333 К

Зависимость обратного тока от температуры.

Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного тока.

Зависимость общей емкости от напряжения.

Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от прямого тока.

Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса.