АА113А, АА113Б

Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в преобразователях сантиметрового и дециметрового диапазонов волн в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.

Масса диода не более 0,002 г.

0

Электрические параметры

Потери преобразования при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более:  
АА113А 6 дБ
АА113Б 6,5 дБ
Выпрямленный ток при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см От 0,7 до 2,5 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более 3,5
Сопротивление диода в нулевой точке, не менее 1000 Ом
Коэффициент шума при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более:  
АА113А 7,5 дБ
АА113Б 9 дБ

Предельные эксплуатационные данные

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К 50 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии и температуре от 213 до 373 К 200 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К 100 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии и температуре от 213 до 373 К 400 мВт
Температура окружающей среды От 213 до 373 К