АА113А, АА113Б
Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные. Предназначены для работы в преобразователях сантиметрового и дециметрового диапазонов волн в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса диода не более 0,002 г.
Электрические параметры
| Потери преобразования при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более: | |
| АА113А | 6 дБ |
| АА113Б | 6,5 дБ |
| Выпрямленный ток при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см | От 0,7 до 2,5 мА |
| Коэффициент стоячей волны по напряжению при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более | 3,5 |
| Сопротивление диода в нулевой точке, не менее | 1000 Ом |
| Коэффициент шума при Рпд=3 мВт, λ=3,2 см, не более: | |
| АА113А | 7,5 дБ |
| АА113Б | 9 дБ |
Предельные эксплуатационные данные
| Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К | 50 мВт |
| Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии и температуре от 213 до 373 К | 200 мВт |
| Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К | 100 мВт |
| Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии и температуре от 213 до 373 К | 400 мВт |
| Температура окружающей среды | От 213 до 373 К |