Д214, Д214А, Д214Б, Д215, Д215А, Д215Б

Д214, Д214А, Д214Б, Д215, Д215А, Д215Б

1

Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 12 г, с комплектующими деталями не более 18 г,

2

Электрические параметры

Среднее прямое напряжение при Iпр.ср=Iпр.ср.макс, не более:  
при Т=— 60°С...Тк=+75°С:  
Д214, Д215 1,2 В
Д214А, Д215А 1 В
Д214Б, Д215Б 1,5 В
при Ти = +130°С 1 В
Средний обратный ток при Uобр = Uобр.и.макс, не более 3 мА

Предельные эксплуатационные данные

Импульсное обратное напряжение:  
Д214, Д214А, Д214Б 100 В
Д215, Д215А, Д215Б 200 В
Средний прямой ток при T=—б0...Тк =+75°С:  
Д214, Д214А, Д215, Д215А 10 А
Д214Б, Д215Б 5 А
при Тк=+130°С:  
Д214А, Д215А 10 А
Д214, Д215 5 А
Д214Б, Д215Б 2 А
Перегрузка по среднему прямому току на частоте f=50 Гц в течение 20 мс при Uобр.и<0,2 Uобр.и.макс:  
при Т=+25°С:  
Д214, Д214А, Д215, Д215А 100 А
Д214Б, Д215Б 50 А
при Т=— 60..Тк = +75°С:  
Д214, Д214А, Д215, Д215А 50 А
Д214Б, Д215Б 25 А
при Тк = + 130°С:  
Д214А, Д215А 50 А
Д214, Д215 25 А
Д214Б, Д215Б 10 А
В течение 1,5 с при Uобр.и=Uобр.и.макс  
при Т=—60...ТК = +75 °С:  
Д214, Д214А, Д215, Д215А 30 А
Д214Б, Д215Б 15 А
при Тн= +130°С:  
Д214А, Д215А 30 А
Д214, Д215 15 А
Д214Б, Д215Б 6 А
Частота без снижения электрических режимов 1,1 кГц
Температура перехода +150 °С
Температура окружающей среды -60...Тк=+130 °С

При креплении диодов к теплоотводу усилие затяжки должно быть не более 1,96 Н*м (0,2 кгс*м). При монтаже запрещается прилагать к изолированному выводу усилие, превышающее 9,8 Н (1 кгс), что может привести к нарушению целостности стеклянного изолятора.

Размеры теплоотводящего радиатора рассчитываются из условия, Что диод является точечным источником теплоты, рассеивающим мощность 2Uпр.срIпр.ср.

При последовательном соединении диодов с целью увеличения выпрямленного напряжения рекомендуется применять диоды одного типа и шунтировать каждый прибор резистором сопротивлением 10...15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения.

3

Зависимости допустимого прямого тока от температуры корпуса