2А511А

Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов.

Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.

Масса диода не более 0,25 г.

0

Электрические параметры

Качество (на низком уровне мощности) на частоте f=3000 МГц при Uсм=50 В, Iпр=500 мА, W=50 Ом, Рпд≤1 Вт, не менее:  
при 298 К 2500
при 398 К 1500
при 213 К 1750
Качество (на высоком уровне мощности) при Рпд≤10 кВт, Iпр=500 мА, Uсм=50 В, W=50 Ом, не менее 700
Прямое сопротивление потерь на частоте f=3000 МГц при Iпр=500 мА, Рпд≤1 Вт, не более 2 Ом
Общая емкость диода при Uобр=200 В, Рпд≤1 Вт, f=10...30 МГц От 0,55 до 0,75 пФ
Накопленный заряд при Uсм=100 В, Iпр=100 мА, f=1 кГц, τи=10 мкс, не более 350 нКл

Предельные эксплуатационные данные

Импульсная падающая СВЧ мощность в коаксиальной линии с W=50 Ом 10 кВт
Постоянное напряжение От 50 до 200 В
Постоянный прямой ток 700 мА
Температура окружающей среды От 213 до 373 К

1

Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.

2

Зависимость обратного сопротивления потерь от постоянного обратного напряжения.

3

Зависимость обратного сопротивления потерь от импульсной падающей СВЧ мощности.

4

Зависимость обратного сопротивления потерь от постоянного обратного напряжения.

5

Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.