2А511А
Диод кремниевый диффузионный. Предназначен для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на этикетке.
Масса диода не более 0,25 г.
Электрические параметры
| Качество (на низком уровне мощности) на частоте f=3000 МГц при Uсм=50 В, Iпр=500 мА, W=50 Ом, Рпд≤1 Вт, не менее: | |
| при 298 К | 2500 |
| при 398 К | 1500 |
| при 213 К | 1750 |
| Качество (на высоком уровне мощности) при Рпд≤10 кВт, Iпр=500 мА, Uсм=50 В, W=50 Ом, не менее | 700 |
| Прямое сопротивление потерь на частоте f=3000 МГц при Iпр=500 мА, Рпд≤1 Вт, не более | 2 Ом |
| Общая емкость диода при Uобр=200 В, Рпд≤1 Вт, f=10...30 МГц | От 0,55 до 0,75 пФ |
| Накопленный заряд при Uсм=100 В, Iпр=100 мА, f=1 кГц, τи=10 мкс, не более | 350 нКл |
Предельные эксплуатационные данные
| Импульсная падающая СВЧ мощность в коаксиальной линии с W=50 Ом | 10 кВт |
| Постоянное напряжение | От 50 до 200 В |
| Постоянный прямой ток | 700 мА |
| Температура окружающей среды | От 213 до 373 К |
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.
Зависимость обратного сопротивления потерь от постоянного обратного напряжения.
Зависимость обратного сопротивления потерь от импульсной падающей СВЧ мощности.
Зависимость обратного сопротивления потерь от постоянного обратного напряжения.
Зависимость накопленного заряда от постоянного прямого тока.