1А402А, 1А402Б, 1А402В, 1А402Г, ГА402А, ГА402Б, ГА402В, ГА402Г
Диоды германиевые диффузионные. Предназначены для работы в параметрических усилителях в диапазоне волн от 3 до 6 см.
Выпускаются в металлокерамическом коаксиальном корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на этикетке. Диоды маркируются цветным кодом: 1А402А, ГА402А — одной красной точкой у положительного электрода, 1А402Б, ГА402Б — двумя красными точками, 1А402В, ГА402В — одной красной полоской, 1А402Г, ГА402Г — двумя полосками.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянная времени при Uобр=10 В, f=2000±200 МГц, не более: | |
1А402А, ГА402А | 1,2 пс |
1А402Б, ГА402Б | 0,9 пс |
1А402В, 1А402Г, ГА402В, ГА402Г | 0,75 пс |
Постоянный обратный ток при Uобр=10 В, не более: | |
при 298 К | 0,5 мкА |
при 343 К | 3 мкА |
Изменение пробивного напряжения при 213 К, не более | 15% |
Емкость перехода при Uобр=10 В, f=30 МГц: | /td> |
1А402А, ГА402А, не более | 0,3 пФ |
1А402Б, 1А402Г, ГА402Б, ГА402Г, не более | 0,16 пФ |
1А402В, ГА402В | От 0,13 до 0,3 пФ |
Eмкость корпуса | От 0,23 до 0,29 пФ |
Индуктивность диода, не более | 2 нГн |
Предельные эксплуатационные данные
Непрерывная падающая СВЧ мощность при температуре от 213 до 343 К | 50 мВт |
Непрерывная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин) и температуре от 213 до 343 К | 100 мВт |
Импульсная падающая СВЧ мощность при τи≤4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К | 2,5 Вт |
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 5 мин), τи≤4 мкс, скважности, большей или равной 1000, и температуре от 213 до 343 К | 5 Вт |
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 343 К | 0,7*10-7 Дж |
Мощность просачивающегося импульса при температуре от 213 до 343 К | 200 мВт |
Температура окружающей среды | От 213 до 343 К |
Примечания:
- Допускается применение диодов для умножения и деления частоты в режимах, не превышающих предельно допустимые. Длина волны в этом режиме может быть короче 3 см.
- Не разрешается подача обратного напряжения более 14 В и прямого тока более 30 мА.
Зависимость емкости структуры от постоянного обратного напряжения.
Зависимость пробивного напряжения от температуры.
Зависимость прямого сопротивления потерь от температуры.