2А524А-4, 2А524Б-4

Диоды кремниевые диффузионные с p-i-n структурой. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах и других устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.

Бескорпусные на кристаллодержателе с жесткими выводами с защитным покрытием. Тип диода указывается на таре. Диод 2А524А-4 маркируется одной красной точкой у положительного электрода, 2А524Б-4 - двумя красными точками.

Масса диода не более 0,15 г.

Электрические параметры

Критическая частота при Рпд≤30 мВт, Iпр=150 мА, Uобр=30 В, не менее:
при 213 и 298 К	200 ГГц
при 398 К	160 ГГц
Прямое сопротивление потерь при Рпд≤30 мВт, Iпр=150 мА, не более	0,5 Ом
Общая емкость диода при Uобр=100 В, f=10...30 МГц:
2А524А-4	От 0,7 до 1,2 пФ
2А524Б-4	От 0,5 до 0,8 пФ
Накопленный заряд при Iпр=150 мА, Uобр=100 В, не более	400 нКл
Пробивное напряжение при Iобр=100 мкА, не менее:
2А524А-4	400 В
2А524Б-4	300 В

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 398 К	От 30 до 100 В
Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 398 К	500 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 358 К	1,5 Вт
при 398 К	1,0 Вт
Импульсная падающая СВЧ мощность при Uобр=100 В, температуре от 213 до 358 К в параллельной схеме с W=50 Ом	3 кВт
Температура окружающей среды	От 213 до 398 К