3А110А, 3А110Б

Диоды арсенид-галлиевые планарно-эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для работы в преобразователях частоты диапазона длин волн 2 см.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе. Тип диода и его полярность приводятся на этикетке. Диоды маркируются кодом: первая цифра - указывает на тип диода (для 3А110А-6, для 3А110Б-7), вторая - квартал выпуска диода, третья - последняя цифра - год выпуска диода. Диоды выпускаются подобранными в пары: 3А110АР, 3А110БР.

Масса диода не более 0,15 г.

Электрические параметры

Потери преобразования при Pпд=3 мВт, λ=2 см, не более
при 298 К
3А110А	6,5 дБ
3А110Б	6 дБ
при 213 и 398 К
3А110А	8 дБ
3А110Б	7,5 дБ
Выпрямленный ток при Pпд=3 мВт, λ=2 см	От 0,9 до 2,2 мА
Коэффициент стоячей волны по напряжению при Pпд=3 мВт, λ=2 см, не более:
3А110А	2
3А110Б	1,6
Выходное сопротивление при Pпд=3 мВт, λ=2 см:
3А110А	От 200 до 500 Ом
3А110Б	От 210 до 490 Ом
Нормированный коэффициент шума при Pпд=3 мВт, λ=2 см, не более:
3А110А	8 дБ
3А110Б	7,5 дБ

Разброс электрических параметров в паре

Потери преобразования, не более	0,5 дБ
Выпрямленный ток, не более	0,15 мА
Выходное сопротивление, не более	30 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К	50 мВт
Непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 3 ч) и температуре от 213 до 358 К	100 мВт
Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 373 К, τи≤4 мкс, f≤1000 Гц	150 мВт
Импульсная падающая СВЧ мощность при кратковременном воздействии (не более 3 ч), τи≤4 мкс, f≤1000 Гц и температуре от 213 до 358 К	300 мВт
Энергия СВЧ импульсов при температуре от 213 до 358 К	0,2*10^-7 Дж
Температура окружающей среды	От 213 до 373 К
Кратковременное воздействие температуры (не более 20 мин)	398 К