3A530A, 3А530Б
Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в схемах преобразования импульсных сигналов пико- и наносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Положительным вывод имеет диаметр 3,7 мм.
Масса диода не более 0,2 г.
Электрические параметры
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=10 мА, не более: | |
| при 298 и 358 К | |
| 3A530A | 1,0 В |
| 3A530Б | 1,2 В |
| при 213 К | |
| 3А530А | 1,3 В |
| 3А530Б | 1,5 В |
| Постоянный обратный ток при Uобр=30 В, не более: | |
| при 213 и 298 К | 5 мкА |
| при 358 К | 20 мкА |
| Общая емкость диода при Uобр=0, не более: | |
| 3A530A | 1,0 пФ |
| 3A530Б | 0,75 пФ |
| Эффективное время жизни неравновесных носителей | 100* пс |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К | 30 В |
| Постоянный или средний прямой ток при температуре: | |
| от 213 до 313 К | 10 мА |
| при 358 К | 5 мА |
| Импульсный прямой ток при τи≤10 мкс и скважности не менее 1000 при температуре: | |
| от 213 до 313 К | 50 мА |
| при 358 К | 15 мА |
| Температура окружающей среды | От 213 до 358 К |
Примечания.
- Допускается подавить на диод обратное напряжение до 40 В при температуре от 213 до 313 К при условии что через диод протекает обратный ток не более 5 мкА.
- Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.
Зависимость общей емкости от напряжения.
Зависимость максимально допустимого среднею прямого тока от температуры.
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от температуры.