3A530A, 3А530Б

Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные с барьером Шоттки. Предназначены для использования в схемах преобразования импульсных сигналов пико- и наносекундного диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода указывается на групповой таре. Положительным вывод имеет диаметр 3,7 мм.

Масса диода не более 0,2 г.

0

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при Iпр=10 мА, не более:  
при 298 и 358 К  
3A530A 1,0 В
3A530Б 1,2 В
при 213 К  
3А530А 1,3 В
3А530Б 1,5 В
Постоянный обратный ток при Uобр=30 В, не более:  
при 213 и 298 К 5 мкА
при 358 К 20 мкА
Общая емкость диода при Uобр=0, не более:  
3A530A 1,0 пФ
3A530Б 0,75 пФ
Эффективное время жизни неравновесных носителей 100* пс

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К 30 В
Постоянный или средний прямой ток при температуре:  
от 213 до 313 К 10 мА
при 358 К 5 мА
Импульсный прямой ток при τи≤10 мкс и скважности не менее 1000 при температуре:  
от 213 до 313 К 50 мА
при 358 К 15 мА
Температура окружающей среды От 213 до 358 К

Примечания.

  1. Допускается подавить на диод обратное напряжение до 40 В при температуре от 213 до 313 К при условии что через диод протекает обратный ток не более 5 мкА.
  2. Запрещается хранить диод без индивидуальной защитной упаковки.

1

Зависимость общей емкости от напряжения.

2

Зависимость максимально допустимого среднею прямого тока от температуры.

3

Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от температуры.