3Л109А-1, АЛ109А-1

Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные бескорпусные. Предназначены для использования в оптоэлектродных гибридных микросхемах, имеющих герметичный корпус. Обозначение типа диода приводится на этикетке.

Масса диода не более 0,06 г.

0

Электрические и излучательные параметры

Полная мощность излучения при Iпр=20 мА, не менее 0,2 мВт
Постоянное прямое напряжение при Iпр=20 мА, не более 1,2 В
Типичное значение длины волны в максимуме спектральной характеристики излучения при Iпр=20 мА 0,93 мкм

Предельные эксплуатационные данные

Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 353 К 22 мА
Температура окружающей среды От 213 до 353 К

1

Зависимость мощности излучения от длины волны.

2

Диаграмма направленности излучения.

3

Зона возможных положений зависимости мощности излучения от прямого тока.