3Л109А-1, АЛ109А-1
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные бескорпусные. Предназначены для использования в оптоэлектродных гибридных микросхемах, имеющих герметичный корпус. Обозначение типа диода приводится на этикетке.
Масса диода не более 0,06 г.
Электрические и излучательные параметры
| Полная мощность излучения при Iпр=20 мА, не менее | 0,2 мВт |
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=20 мА, не более | 1,2 В |
| Типичное значение длины волны в максимуме спектральной характеристики излучения при Iпр=20 мА | 0,93 мкм |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 353 К | 22 мА |
| Температура окружающей среды | От 213 до 353 К |
Зависимость мощности излучения от длины волны.
Диаграмма направленности излучения.
Зона возможных положений зависимости мощности излучения от прямого тока.