2A503A, 2А503Б
Диоды кремниевые сплавные с p-i-n структурой. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов.
Бескорпусные с жесткими выводами. Тип диода указывается на индивидуальной тape.
Масса диода не более 0,00214 г.
Электрические параметры
| Прямое напряжение при Iпр=100 мА и температуре от 213 до 398 К, не более | 0,3 В |
| Прямое сопротивление потерь при Iпр=100 мА, Рпд≥5 мВт, f=3000 МГц, не более: | |
| 2А503А | 3,3 Ом |
| 2А503Б | 5,0 Ом |
| Емкость перехода при Рпд≥5 мВт, f=3000 МГц: | |
| 2А503А | От 0,365 до 0,435 пФ |
| 2А503Б | От 0,33 до 0,425 пФ |
| Прямое сопротивление потерь при Iпр=0, Рпд≥5 мВт, f=3000 МГц, не менее | 1500 Ом |
| Время установления прямого сопротивления при Iпр=100 мА, Рпд≥1 мВт, f=3000 МГц, не более | 6 мкс |
| Время восстановления сопротивления при Iпр=0, Рпд≥1 мВт, f=3000 МГц, не более | 60 мкс |
Предельные эксплуатационные данные
| Рассеиваемая мощность | 1 Вт |
| Импульсная рассеиваемая мощность в линии с волновым сопротивлением 50 Ом | 1 кВт |
| Температура окружающей среды | От 213 до 398 К |
| Температура перехода | 398 К |
Зависим ость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого напряжения.
Зависимость прямого сопротивления потерь от постоянного прямого тока.