3Л108А, АЛ108А
Излучающие диоды арсенид-галлиевые эпитаксиальные в пластмассовом корпусе. Предназначены для работы в качестве источника инфракрасного излучения с длиной волны 0.94 мкм. Диоды маркируются белой точкой.
Масса диода не более 0,15 г.
Электрические и излучательные параметры
| Полная мощность излучения при Iпр=100 мА, не менее | 1,5 мB |
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=100 мА, не более | 1,35 В |
| Типичное значение длины волны в максимуме спектральной характеристики излучения при Iпр=100 мА | 0,94 мкм |
| Температурный коэффициент положения максимума спектра | 2,3 нм/К |
| Полуширина спектра излучения при температуре от 213 до 358 К | От 35 до 70 нм |
| Прямое импульсное напряжение при Iпр.и=4 А | От 2,5 до 3,2 В |
| Дифференциальное сопротивление при Iпр.и=0,5 А, не более | 1 Ом |
| Время нарастания импульса излучения | От 0,4 до 2,4 мкс |
| Время спада импульса излучения | От 1,0 до 2,0 мкс |
| Общая емкость диода | От 100 до 400 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К | 110 мА |
| Импульсный прямой ток при длительности импульса не более 20 мкс и температуре от 213 до 358 К | 4 А |
| Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К | 2 В |
| Температура окружающей среды | От 213 до 358 К |
Зависимость мощности излучения от длины волны.
Диаграмма направленности излучения (1, 2 — возможные положения оси диаграммы направленности).
Зона возможных положений зависимости прямого напряжения от температуры.
Зона возможных положений зависимости мощности излучения от температуры.
Зона возможных положений зависимости мощности излучения от импульсного тока.
Зависимость мощности излучения от частоты.