АД516А, АД516Б

Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные. Предназначены для использования в импульсных схемах наносекундного диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0.6 г.

0

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при Iпр=2 мА, не более  
при 298 и 373 К 1,5 В
при 213 К 1,8 В
Постоянный обратный ток при Uобр=10 В, не более:  
при температуре от 213 до 298 К 2 мкА
при 373 К 100 мкА
Заряд переключения при Iпр=5 мА, Uобр.и=10 В, не более 5 пКл
Общая емкость диода при Uобр=0, не более:  
АД516А 0,5 пФ
АД516Б 0,35 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при Iпр=5 мА, Uобр.и=10 В, Iотсч=0,1 мА, не более 1 нс
Дифференциальное сопротивление при Iпр=2 мА, не более 150 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение 10 В
Постоянный или средний прямой ток:  
при температуре от 213 до 308 К 2 мА
при 373 К 1 мА
Импульсный прямой ток при τи≤10 мкс и скважности не менее 1000:  
при температуре от 213 до 358 К 30 мА
при 373 К 15 мА
Температура окружающей среды От 213 до 373 К
Температура перехода 373 К

1

Зависимость общей емкости от напряжения.

2

Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса.

3

Зависимость заряда переключения от напряжения.

4

Зависимость максимально допустимого среднею и импульсного прямых токов от температуры.