АД516А, АД516Б

Диоды арсенид-галлиевые эпитаксиально-планарные. Предназначены для использования в импульсных схемах наносекундного диапазона.

Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0.6 г.

Постоянное прямое напряжение при Iпр=2 мА, не более
при 298 и 373 К	1,5 В
при 213 К	1,8 В
Постоянный обратный ток при Uобр=10 В, не более:
при температуре от 213 до 298 К	2 мкА
при 373 К	100 мкА
Заряд переключения при Iпр=5 мА, Uобр.и=10 В, не более	5 пКл
Общая емкость диода при Uобр=0, не более:
АД516А	0,5 пФ
АД516Б	0,35 пФ
Время восстановления обратного сопротивления при Iпр=5 мА, Uобр.и=10 В, Iотсч=0,1 мА, не более	1 нс
Дифференциальное сопротивление при Iпр=2 мА, не более	150 Ом

Постоянное обратное напряжение	10 В
Постоянный или средний прямой ток:
при температуре от 213 до 308 К	2 мА
при 373 К	1 мА
Импульсный прямой ток при τи≤10 мкс и скважности не менее 1000:
при температуре от 213 до 358 К	30 мА
при 373 К	15 мА
Температура окружающей среды	От 213 до 373 К
Температура перехода	373 К

Зависимость общей емкости от напряжения.

Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса.

Зависимость заряда переключения от напряжения.

Зависимость максимально допустимого среднею и импульсного прямых токов от температуры.