295АГ1А, 295АГ1Б, 295АГ1В, 295АГ1Г, 295АГ1Д

295АГ1А, 295АГ1Б, 295АГ1В, 295АГ1Г, 295АГ1Д

Интегральные оптоэлектронные микросхемы, содержащие тиристорную оптопару, тиристор и однопереходный транзистор, в металлическом корпусе. Предназначены для использования в качестве одновибраторов в схемах, в которых требуется гальваническая развязка цени запуска от выходной цепи.

Масса прибора не более 2,5 г.

0

Электрические параметры

Напряжение источника питания:  
295АГ1А 12 В
295АГ1Б, 295АГ1В 27 В
295АГ1Г, 295АГ1Д 48 В
Напряжение включения при входном импульсном токе 50 мА (295АГ1А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В, 295АГ1Г) и 200 мА (295АГ1Д), не более:  
при 298 К 3,6 В
при 263 К 5,2 В
при 343 К и выходном импульсном токе 50 мА 4,6 В
Ток утечки на выходе, не более:  
при 298 К 10 мкА
при 263 К 50 мкА
при 343 К 50 мкА
Ток включения, не более 20 мА
Остаточное напряжение при выходном импульсном токе 50 мА (295АГ1А, 295АГ1Б), 100 мА (295АГ1В, 295АГ1Г) и 200 мА (295АГ1Д), не более 2,5 В
Сопротивление изоляции между входом и выходом, не менее 108 Ом

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение источника питания, не более:  
295АГ1А 13,2 В
295АГ1Б, 295АГ1В 29,7 В
295АГ1Г, 295АГ1Д 52,8 В
Напряжение включения 5,25 В
Напряжение между входом и выходом 100 В
Выходной импульсный ток при τи≤2 мкс, температуре окружающей среды от 263 до 308 К:  
295АГ1А, 295АГ1Б 50 мА
295АГ1В, 295АГ1Г 100 мА
295АГ1Д 200 мА
Рассеиваемая мощность при температуре 298 К 500 мВт
Скорость нарастания напряжения источника питания при температуре окружающей среды от 263 до 343 К 50 В/мкс
Температура окружающей среды От 263 до 343 К

1

Зона возможных положений зависимости напряжения включения от температуры.

2

Зоны возможных положений зависимости входного тока от температуры.

3

Зона возможных положений зависимости напряжения в открытом состоянии от температуры.

4

Зона возможных положений зависимости тока утечки от температуры.

5

Зависимость рассеиваемой мощности от температуры.