2А508А, KA508A
Диоды кремниевые, изготовленные на основе ионного легирования со структурой n-i-p-i-n. Предназначены для работы в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибким выводом. Тип диода указывается на таре.
Масса диода не более 0,05 г.
Электрические параметры
| Потери пропускания при Iпр.и=100 мА, Рпд=1 Вт, f=9370 МГц, не более: | |
| при 398 К | 0,4 дБ |
| при 213 и 398 К (2А508А) | 0,6 дБ |
| Качество при Рпд=1 Вт, f=9370 МГц, не менее | 600 |
| Время установления при Iпр.и=100 мА, f=1000 Гц, τи=100 мкс, rпос=1 кОм, не более | 6 мкс |
| Время восстановления при Iпр.и= 100 мА, f=1000 Ги, τи=100 мкс, rпос=100 Ом, не более | 40 мкс |
Предельные эксплуатационные данные
| Рассеиваемая СВЧ мощность при температуре от 213 до 333 К для 2А508А и от 213 до 308 К для КА508А | 1,5 Вт |
| Коммутируемая импульсная СВЧ мощность при τи=1 мкс, скважности 1000 в резонансной щели | 0,8 кВт |
| Постоянное обратное напряжение при температуре от 213 до 358 К | 100 В |
| Постоянный прямой ток при температуре от 213 до 358 К | 500 мА |
| Температура окружающей среды: | |
| 2А508А | От 213 до 398 К |
| КА508А | От 213 до 358 К |
Примечания:
- При постоянном прямом токе допускается импульсная мощность 50 кВт при τи=1 мкс, скважности 1000 при условии, что мощность, рассеиваемая в диоде, не превышает допустимого значения.
- При впайке диодов в модули должен использоваться припой ПОИн-50.
Зависимость качества диода от постоянного прямого тока.
Зависимость времени восстановления от постоянного обратного напряжения.
Зависимость рассеиваемой СВЧ мощности от температуры.
Зависимость потерь пропускания от температуры.
Зависимость качества диода от температуры.