2Д904А-1, 2Д904Б-1, 2Д904В-1, 2Д904Г-1, 2Д904Д-1, 2Д904Е-1; КД904А-1, КД904Б-1, КД904В-1, КД904Г-1, КД904Д-1, КД904Е-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д904А-1, КД904А-1), двух (2Д904Б-1, КД904Б-1), трех (2Д904В-1, КД904В-1), четырех (2Д904Г-1, 2Д904Е-1, КД904Г-1, КД904Е-1) кремниевых планарных диодов с общим анодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные, с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса матрицы не более 10 мг.
Электрические параметры
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=0,01 мА, не менее: | |
| при Т=+25°С | 0,45 В |
| при Т=+85°С | 0,31 В |
| Постоянное прямое напряжение при Iпр=1 мА, не более: | |
| при Т=+25°С | 0,8 В |
| при Т=-60°С | 1,05 В |
| Разность прямых напряжений двух диодов из числа первых трех диодов при Iпр=0,05...0,5 мА для 2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904Д-1, КД904Е-1, не более | 10 мВ |
| Постоянный обратный ток при Uобр=10 В, не более: | |
| при Т=+25°С | 0,2 мкА |
| при Т=+85°С | 1 мкА |
| Время обратного восстановления при Uобр.и=5 В, Iпр.и=5 мА и Iобр=1 мА, не более | 10 нс |
| Общая емкость каждого диода при Uобр=0,1 В и f=1...10 МГц, не более | 2 пФ |
Предельные эксплуатационные данные
| Постоянное обратное напряжение | 10 В |
| Импульсное обратное напряжение при tи≤2 мкс и Q≥10 | 12 В |
| Средний выпрямленный ток (суммарный ток всех диодов матрицы) | 5 мА |
| Импульсный прямой ток при tи≤10 мкс и Iпр.ср≤5 мА........... | 100 мА |
| Температура окружающей среды | —60...+85°С |
Изгиб выводов допускается не ближе 0,3 мм от защитного покрытия. Не допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перегиб выводов на инструменте с острыми краями.
Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 2 и не далее 7 мм от защитного покрытия. Нагрев кристалла и защитного покрытия при пайке (сварке) не должен превышать +85°С.
При включении матрицы в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоединяться первым и отключаться последним.
Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91.
Зависимость заряда переключения от тока
Зависимость заряда переключения от напряжения
Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса
Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока прямоугольной формы с временем нарастания фронта 2...3 нс.
Зависимость общей емкости диода от напряжения